カーボンナノチューブの機械的応用に関する研究の紹介(<メカライフ特集>すごーく小さいもの)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2005-09-05
著者
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所 ナノテクノロジー研究センター:富士通(株) Lsi事業本部 デバイス開発統括部
関連論文
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAsも量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- 自己形成InAs量子ドットの光電流ホールバーニングの観測
- InGaAs/GaAs正四面体溝(TSR)量子ドット作製技術
- 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
- 単一量子ドットフローティングゲートメモリによる高感度蓄積電荷検出および蓄積電荷数制御
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電荷数制御多値メモリ動作
- 正四面体溝量子ドットを用いた単一量子ドットメモリとその電界数制御多値メモリ動作
- ナノテクノロジ (特集:研究開発最前線) -- (情報通信インフラを支える最先端テクノロジ)
- SC-9-3 量子ドットのメモリ応用 : 単一量子ドットメモリとSK量子ドットメモリ
- VI. 半導体人工格子, 量子ドット 加工基板上に成長した半導体量子ドット
- ジョセフソン-半導体インターフェイス回路のための低温HEMT増幅器
- 磁場閉じ込めおよび正四面体溝を利用した量子ドット共鳴トンネル素子
- 自己組織化によるGaAs正四面体溝内のInGaAs積層量子ドット形成
- 低温HEMTを用いたジョセフソン-半導体インターフェイス回路
- C-2-43 カーボンナノチューブを用いた微細インダクタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 19pRA-9 カーボンナノチューブ熱輸送 : デバイスの放熱応用(企画講演,ナノチューブ・光物性・熱伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
- カーボンナノチューブの放熱バンプ技術 (特集 研究開発最前線)
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- 自己形成InAs量子ドットのホールバーニングメモリ応用
- シリサイド触媒による多層カーボンナノチューブのプラズマCVD成長
- 4. カーボンナノチューブを用いたVLSI配線(次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術)
- カーボンナノチューブ配線
- カーボンナノチューブの電子デバイス応用
- カーボンナノチューブの機械的応用に関する研究の紹介(すごーく小さいもの)
- 24pXP-5 単一の自己形成InAs二重結合量子ドットの電子輸送特性(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))