4. カーボンナノチューブを用いたVLSI配線(<小特集>次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
従来LSIに用いられてきた銅(Cu)配線は,今後更なる微細化に伴い,配線抵抗の増大と許容電流密度耐性の面で限界が訪れる.これらの課題を解決する次世代配線材料の候補としてカーボンナノチューブ(CNT)を用いた配線ビアの研究を行っている.MIRAIプロジェクトでは,配線帽が32nmとなるhp32nm世代(実用化時期2013年以降)でのCNTビア応用を目指して,多数本のCNT束内でのバリスティック伝導を観測した.これによって,従来用いられているCu配線を上回る低抵抗・高信頼性を有するCNTビアの実現が期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-03-01
著者
-
粟野 祐二
Mirai-selete
-
二瓶 瑞久
Mirai-selete
-
粟野 祐二
(株)富士通研究所ナノテクノロジー研究センター
-
二瓶 瑞久
科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
-
二瓶 瑞久
独立行政法人産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
関連論文
- CVD成長多層グラフェン膜の顕微ラマン分光とバルク敏感XPSによる評価
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 化合物半導体ナノテクノロジーの現状と将来展望
- Si熱酸化の統合反応モデル
- C-2-43 カーボンナノチューブを用いた微細インダクタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 19pRA-9 カーボンナノチューブ熱輸送 : デバイスの放熱応用(企画講演,ナノチューブ・光物性・熱伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
- カーボンナノチューブの放熱バンプ技術 (特集 研究開発最前線)
- カーボンナノチューブのCVD成長技術と電子デバイス応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- CT-1-5 カーボンナノチューブデバイス(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 金属ナノ粒子からのカーボンナノチューブ成長
- チタン・コバルト二元系微粒子からのカーボンナノチューブ成長
- 24pWB-7 ナノチューブ配線技術(カーボンナノチューブ研究開発における「ブレークスルー」のために今何が必要か?,シンポジウム,領域7,分子性固体・有機導体)
- シリサイド触媒による多層カーボンナノチューブのプラズマCVD成長
- 4. カーボンナノチューブを用いたVLSI配線(次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術)
- カーボンナノチューブ配線
- カーボンナノチューブの電子デバイス応用
- カーボンナノチューブの機械的応用に関する研究の紹介(すごーく小さいもの)
- 光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線(配線・実装技術と関連材料技術)
- 光電子制御プラズマCVDによるナノグラファイト成長 : 結晶性の放電条件依存(配線・実装技術と関連材料技術)
- 3.カーボンナノチューブ/グラフェンによる電気インタコネクション技術(インタコネクション技術)
- ラマン分光法およびXPSによるSiO_2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究(配線・実装技術と関連材料技術)
- 排熱TSVへ向けたナノカーボン材料の熱特性評価(配線・実装技術と関連材料技術)