光電子制御プラズマCVD法で成膜したネットワークナノグラファイト配線(配線・実装技術と関連材料技術)
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概要
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Cuに代わる新たなLSI配線材料として、多層グラフェンを検討している。多層グラフェンはCuより低い抵抗率、高い熱伝導率、高い電流密度耐性を有することが期待される。LSI応用のためには、成長温度400℃程度、かつ厚い触媒を用いない条件下で、高品質な多層グラフェンを得る技術が必要である。光電子制御プラズマCVD 法は、触媒を用いずに直接絶縁膜上に成膜できる方法として期待される。ここでは、この成膜方法によりシリコン酸化膜上に直接成膜したカーボン膜の構造、配線加工プロセスとその電気特性、電流耐性、熱的安定性について、また、低抵抗化について報告する。
- 2011-01-31
著者
-
池永 英司
高輝度光科学研究センター
-
横山 直樹
(株)富士通研究所
-
横山 直樹
富士通
-
池永 英司
Crest・jst
-
小川 修一
東北大学多元物質科学研究所
-
二瓶 瑞久
CREST・JST
-
高桑 雄二
東北大学多元物質科学研究所
-
小川 修一
東北大学 多元物質科学研究所
-
高桑 雄二
東北大学 多元物質科学研究所
-
池永 英司
(財)高輝度光科学研究センター
-
二瓶 瑞久
富士通株式会社
-
二瓶 瑞久
Mirai-selete
-
佐藤 元伸
富士通株式会社
-
横山 直樹
岡山大学大学院工学研究科
-
横山 直樹
株式会社富士通研究所ナノエレクトロニクス研究センター:(現)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
池永 英司
高輝度光科学研究センター:科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
-
横山 直樹
産業技術総合研究所連携研究体gnc
-
二瓶 瑞久
科学技術振興機構戦略的創造研究推進事業
-
二瓶 瑞久
独立行政法人産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
池永 英司
財団法人高照度光科学研究センター
-
佐藤 元伸
東北大学多元物質科学研究所:(独)産業技術総合研究所連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター
-
横山 直樹
神戸大学医学部附属病院周産母子センター
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