ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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Si(100)面上に300°Cにおいて形成した膜厚約1nmの3種類の低温酸化膜と1Torrの乾燥酸素雰囲気中900℃で形成した膜厚約1nmの熱酸化膜の角度分解Si 2p光電子スペクトルを1050 evの放射光を用いて測定しこれら極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さを決定した。その結果、低温酸化膜中の電子の脱出深さは熱酸化膜中のそれより18〜24%小さく、構造遷移層の厚みに近い熱酸化膜中の電子の脱出深さはパルクSiO_2中のそれより7%程小さいことを見出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-07
著者
-
野平 博司
Musashi Institute Of Technology
-
高田 恭孝
理化学研究所量子秩序研究チーム
-
小林 啓介
高輝度光科学研究センター
-
高田 恭孝
東大新領域:理研:spring8
-
高田 恭孝
理化学研究所放射光物性研究室-spring-8
-
池永 英司
高輝度光科学研究センター
-
服部 健雄
武蔵工業大学工学部
-
野平 博司
武蔵工業大学工学部
-
辛 埴
理化学研究所・播磨研究所
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
-
品川 盛治
武蔵工業大学工学部
-
岡本 英介
武蔵工業大学工学部
-
吉田 徹史
武蔵工業大学工学部
-
東 和文
(株)液晶先端技術開発センター
-
品川 盛治
武蔵工業大学
-
東 和文
液晶先端技術開発センター
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学
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