XPSを用いたAu/極薄SiO_2界面のバリアハイトの測定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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MOSデバイスの微細化に伴い、ゲートSiO_2膜の厚さは0.8nmにまで達した。このような極薄膜の領域では、金属/SiO_2界面のバリアハイトは測定されていない。本研究ではXPSを用いてSiO_2膜1.0nm以下のAu/SiO_2界面のバリアハイトを測定する。界面バリアハイトをXPSで測定する方法として、XPSでSi2p束縛エネルギーから求める方法と、カットオフエネルギーから求める方法の二つを適用した結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-14
著者
-
野平 博司
Musashi Institute Of Technology
-
服部 健雄
武蔵工業大学工学部
-
野平 博司
武蔵工業大学工学部
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
廣瀬 和之
総合研究大学院大学
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
-
鈴木 伸子
総合研究大学院大学
-
山脇 師之
総合研究大学院大学
-
鈴木 治彦
武蔵工業大学工学部
-
長谷川 覚
武蔵工業大学工学部
-
小林 大輔
宇宙科学研究本部
-
鹿瀬 和之
総合研究大学院大学
-
鹿瀬 和之
総合研究大学院大学:宇宙科学研究本部
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学
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