極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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シリコン酸化膜の窒素プラズマ中窒化処理により形成した膜厚約1nmのシリコン酸窒化膜中の種々の結合形態にある窒素原子の分布を、角度分解Si 2p・N 1s光電子スペクトルに最大エントロピー法を適用することにより調べた。その結果、NO窒化により形成したシリコン酸窒化膜とは異なり、窒素原子の第一近接原子3個が全てがシリコン原子、第二近接原子9個全てが酸素原子となる結合形態が主成分となり表面近傍および界面近傍に存在することが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-02
著者
-
野平 博司
Musashi Institute Of Technology
-
服部 健雄
武蔵工業大学工学部
-
野平 博司
武蔵工業大学工学部
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
加勢 正隆
富士通株式会社
-
堀 充明
富士通
-
堀 充明
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
加瀬 正隆
富士通
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
-
生田 哲也
富士通株式会社lsi事業本部
-
品川 盛治
武蔵工業大学工学部
-
岡本 英介
武蔵工業大学工学部
-
吉田 徹史
武蔵工業大学工学部
-
品川 盛治
武蔵工業大学
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
Nakazawa Hiroshi
New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University
-
服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
-
服部 健雄
武蔵工業大学
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