AR-XPS及びHAX-PESによるSiO_2/SiC界面の化学結合状態評価(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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熱酸化により形成したSiO_2/SiC界面を角度分解X線光電子分光(AR-XPS)および硬X線光電子分光(HAX-PES)測定により評価した。その結果、界面にシリコンサブオキサイドが存在すること、C 1sスペクトルの詳細な解析から、SiC中のC-C結合およびSiO_2中の炭素に起因すると考えられる信号が見られることを見出した。
- 2012-10-18
著者
-
Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
-
野平 博司
東京都市大
-
小松 新
東京都市大学工学部
-
渡辺 将人
東京都市大学
-
泉 雄大
公益財団法人高輝度光科学研究センター
-
室 桂隆之
公益財団法人高輝度光科学研究センター
-
澤野 憲太郎
東京都市大
-
岡田 葉月
東京都市大学
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