高品質Fe3Si/Siからなるショットキートンネル電極を用いたシリコン中のスピン伝導の電気的検出

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概要

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•   We investigated the epitaxial growth of high-quality Fe3Si thin films on Si(111) and demonstrated electrical injection and detection of spin-polarized electrons in Si through the Fe3Si/Si Schottky-tunnel contacts. TEM observations and analyses of electron diffraction patterns revealed that precisely controlling the Fe/Si ratio during growth is important to obtain well ordered Fe3Si structures and atomically abrupt heterointerfaces at the same time. The electrical properties of Fe3Si/Si Schottky diodes with various carrier concentrations were also examined, and highly transparent tunnel contacts were demonstrated. We were able to clearly detect nonlocal spin signals in Si at 150K using Fe3Si/Si lateral four-probe devices.

著者

• 安藤 裕一郎

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 笠原 健司

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 榎本 雄志

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 村上 達彦

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 浜屋 宏平

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 木村 崇

  九州大学　稲盛フロンティア研究センター

• 澤野 憲太郎

  東京都市大学　総合研究所

• 宮尾 正信

  九州大学　大学院システム情報科学研究院

• 澤野 憲太郎

  東京都市大学

• 澤野 憲太郎

  東京都市大

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