24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure

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概要

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• 2010-08-18

著者

• 申 潤錫

  ICORP-JST

• ブルナー ロランド

  ICORP-JST

• 吉田 勝治

  ICORP-JST

• 樽茶 清悟

  東大工

• 樽茶 清悟

  東大物理工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 小寺 哲夫

  東大理

• 樽茶 清悟

  Icorp-jst:東大工

• 白木 靖寛

  都市大総研

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構

• 澤野 憲太郎

  都市大総研

• 小寺 哲夫

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• Tarucha Seigo

  Department Of Applied Physics The University Of Tokyo

• Oda S

  Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology

• Oda Shunri

  The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology

• 小幡 利顕

  東大工

• 吉田 勝治

  東大工

• 武田 健太

  東大工

• 福岡 佑二

  東工大量子ナノエレ研セ

• 大塚 朋廣

  東大工

• 申 潤錫

  ポハン大理工

• ブルナ ロランド

  レオベン大

• 小田 俊理

  東京工業大学総合理工学研究科

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST

• 小幡 利顕

  ICORP-JST:東大工

• 白木 靖寛

  東京都市大学工学部

• 小寺 哲夫

  東工大量子ナノエレ研セ

• 澤野 憲太郎

  東京都市大

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