小田 俊理 | 東工大量子ナノエレ研セ
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概要
関連著者
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小田 俊理
東工大量子ナノエレ研セ
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小寺 哲夫
東大理
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小寺 哲夫
東工大量子ナノエレ研セ
-
小田 俊理
東工大工
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ:東大ナノ量子機構:さきがけ-JST
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研
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小田 俊理
東工大量子ナノ研:sorst-jst
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小田 俊理
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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Oda Shunri
The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology
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樽茶 清悟
東大工
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ODA Shunri
Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology
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Oda S
Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn
-
Oda Shunri
Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology
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小幡 利顕
東大工
-
武田 健太
東大工
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小田 俊理
東京工業大学総合理工学研究科
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小寺 哲夫
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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Tarucha Seigo
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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小幡 利顕
ICORP-JST:東大工
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樽茶 清悟
東大物理工
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福岡 佑二
東工大量子ナノエレ研セ
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吉田 勝治
ICORP-JST
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Oda S
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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吉田 勝治
東大工
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澤野 憲太郎
東京都市大
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白木 靖寛
都市大総研
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研:東大ナノ量子機構
-
澤野 憲太郎
都市大総研
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荒川 泰彦
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所
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小田 俊理
東工大
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Oda Shunri
Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut
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大塚 朋廣
東大工
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白木 靖寛
東京都市大学工学部
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小川 佳宏
東工大院理工
-
南 不二雄
東工大院理工
-
湯浅 譲
東工大院理工
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山端 元音
東工大量子ナノ研
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構:東大生産研
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樽茶 清悟
Icorp-jst:東大工
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樽茶 清悟
Ntt物基礎研:東大
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山端 元音
東京工業大学電子物理工学専攻
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樽茶 清吾
日本電信電話公社武蔵野通研
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Sailer Juergen
東大工
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堀部 浩介
東工大量子ナノ研セ
-
蒲原 知宏
東工大量子ナノ研セ
-
内田 建
東工大院理工
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小田 俊理
量子ナノエレ研セ
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神岡 純
東工大量子ナノ研セ
-
アクタ ワシーム
東大工
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樽茶 清悟
NTT電気通信研究所
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南 不二雄
東工大院理
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樽茶 清悟
NTT物性基礎研:東大理:ERATO Mesoscopic Correlation Project
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小野 崇人
東北大学
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荒川 泰彦
東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター
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申 潤錫
ICORP-JST
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ブルナー ロランド
ICORP-JST
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高村 禅
北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科
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新宮原 正三
関西大学大学院工学研究科
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筆宝 大平
東工大量子ナノエレ研セ
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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高村 禅
北陸先端大院・マテリアルサイエンス
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高村 禅
北陸先端科学技術大学院大学
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浦岡 行治
奈良先端大
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羽根 一博
東北大学
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Ferrus Thierry
日立ケンブリッジ研
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中岡 俊裕
東大ナノ量子機構
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Williams David
日立ケンブリッジ研
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荒川 泰彦
東大ナノ量子機構
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小川 佳宏
京都大学付属病院 内分泌・代謝内科
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一木 隆範
東大院・工・バイオエンジニアリング
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平本 俊郎
東大
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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片山 宏彦
東工大
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柊元 宏
東工大
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高橋 庸夫
北海道大学大学院情報科学研究科
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松井 真二
兵庫県立大高度研
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柴田 直樹
東工大 理
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森 伸也
阪大院工
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森 伸也
阪大工
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辰巳 哲也
ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門
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辰巳 哲也
技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室
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鳥海 明
東大
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金田 千穂子
富士通研
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小田中 紳二
阪大
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宮崎 誠一
広大院先端研
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柊元 宏
東工大・工
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柴田 直樹
東工大
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金田 千穂子
富士通研究所
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石田 誠
豊橋技科大
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井谷 俊郎
Selete
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上野 和良
芝浦工大
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坂本 邦博
産総研
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芝原 健太郎
広大
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須田 良幸
農工大
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高橋 庸夫
北大
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久本 大
日立
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廣瀬 和之
宇宙研
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水野 文二
UJTラボ
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須田 良幸
農工大・工
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一木 隆範
東洋大学・工
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新宮原 正三
関西大
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井谷 俊郎
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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鳥海 明
東大・物工
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鳥海 明
東大院工
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辰巳 哲也
ソニー
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高村 禅
北陸先端大
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森 伸也
阪大
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小野 崇人
東北大学大学院工学研究科
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荒川 泰彦
東大生研
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清水 勇
東工大
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内田 建
東京工業大学
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高橋 庸夫
東北大・工
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高橋 庸夫
北海道大学 大学院情報科学研究科
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Hane Kazuhiro
Department Of Mechatronics & Precision Engineering Tohoku University
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Hane Kazuhiro
Faculty Of Engineering Tohoku University
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井谷 俊郎
Nec
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Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Hiramoto T
Univ. Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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宮崎 誠一
広大
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松井 真二
兵庫県立大
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内田 建
東京工業大学電子物理工学専攻:prest化学技術振興機構
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高橋 庸夫
日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所
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荒川 泰彦
1995 1996年度エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌編集委員会
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申 潤錫
ポハン大理工
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ブルナ ロランド
レオベン大
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一木 隆範
東大
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一木 隆範
東京大学大学院工学系研究科バイオエンジニアリング専攻
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高橋 庸夫
北海道大学情報科学研究科
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Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
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小野 崇人
東北大
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羽根 一博
東北大学大学院
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Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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一木 隆範
東大 大学院工学系研究科
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Abstreiter G.
Walter Schottky Institut Technische Universitat Munchen
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羽根 一博
東北大学大学院工学研究科
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一木 隆範
東京大学 大学院工学系研究科 バイオエンジニアリング専攻
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Bougeard Dominique
Walter Schottky Institut, Technische Universitat Munchen
-
Bougeard Dominique
Walter Schottky Institut Technische Universitat Munchen:institut Fur Experimentelle And Angewandte P
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野村 春之
東工大院理工
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羽根 一博
東北大
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澤野 憲太郎
東京都市大学
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Williams D.
ブリッジ研
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林 文城
東工大量子ナノ研セ
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Ferrus T.
ブリッジ研
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Rossi A.
ブリッジ研
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小田 俊理
東工大量子ナノ研セ
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樽茶 清悟
東京大学大学院工学系研究科
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Abstreiter Gerhard
Universitat Regensburg
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Wild Andreas
Technische Universitat Munchen
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Bougeard Dominique
Technische Universitat Munchen
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白木 靖寛
東京都市大
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小寺 哲夫
東工大量子ナノ研セ
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Kierig J.
Regensburg大
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Wild A.
Walter Schottky inst.
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Sailer J.
東大工
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Bougeard D.
Regensburg大
-
Bougeard D.
Regensburg大:Walter Schottky inst.
-
Abstreiter G.
Walter Schottky inst.
著作論文
- 27aPS-101 近接場分光法を用いたフォトニック結晶中の光伝播特性の観察(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aXG-4 シリコン結合量子ドットの電子輸送特性評価(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 1)ZnS青色発光ダイオード(光・フィルム技術研究会(第12回))
- シリコン技術
- 1)アモルファス・シリコン系アロイの光導電性(テレビジョン電子装置研究会(第125回))
- 24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
- 24aWQ-3 PdショットキーゲートによるSi/SiGe量子ドットの作製とその評価(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28aHD-1 Si/SiGe量子ドットにおけるショットキーゲート電極に対する考察(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSB-49 チップ増強ラマン散乱分光法によるGeナノワイヤの観察(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 24aTR-2 Si/SiGe 2重量子ドットにおける高周波応答について(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTM-12 シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aBJ-9 シリコン量子ドットを用いた電荷検出(24aBJ 微小接合・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-2 トップゲートを備えたSi/SiGe量子ポイントコンタクトにおける電荷雑音の評価(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29aXQ-3 ノンドープSi/SiGeウェハーを用いた横型ドット開発(29aXQ 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pDD-8 同位体制御したSiを用いたSi/SiGeにおけるダブルドット(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))