平本 俊郎 | 東京大学生産技術研究所:mirai-selete

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概要

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• 同名の論文著者
• 東京大学生産技術研究所:mirai-seleteの論文著者

関連著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshirou

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi

• 平本 俊郎

  東大

• 竹内 潔

  MIRAI-Selete

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 西田 彰男

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 西田 彰男

  MIRAI-Selete

• 蒲原 史朗

  MIRAI-Selete

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• 清水 健

  東京大学生産技術研究所

• 清水 健

  天理よろず相談所病院小児科

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 清水 健

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• KUMAR Anil

  東京大学生産技術研究所

• 稲葉 聡

  MIRAI-Selete

• 最上 徹

  MIRAI-Selete

• 清水 健

  埼玉社会保険病院病理

• 清水 健

  北海道大学大学院工学研究科

• 清水 健

  千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学

• 平本 俊郎

  東大生研

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 角村 貴昭

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 寺田 和夫

  広島市大学院情報科学研究科

• 角村 貴昭

  MIRAI-Selete

• 寺田 和夫

  広島市立大学

• 大藤 徹

  東京大学生産技術研究所

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 清水 健

  東大生研

• 更屋 拓哉

  東大生研

• 杉井 信之

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 槇山 秀樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• プトラ アリフィン・タムシル

  東京大学

• 杉井 信之

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻

• 平本 俊郎

  日立製作所デバイス開発センタ

• 鈴木 誠

  東京大学生産技術研究所

• 山本 芳樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 深井 利憲

  MIRAI-Selete

• 寺田 和夫

  広島市立大学大学院情報科学研究科

• 平本 俊郎

  MIRAI-Selete

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 陳 杰智

  東京大学生産技術研究所

• 三本杉 安弘

  (株)富士通研究所

• 野田 研二

  NSCore

• 三本杉 安弘

  富士通研究所

• 竹内 潔

  日本電気システムデバイス研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 鄭 然周

  東京大学生産技術研究所

• Chen Jiezhi

  東京大学生産技術研究所

• 下川 公明

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 堂前 泰宏

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 長友 良樹

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 井田 次郎

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 井田 次郎

  沖電気

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター先端ワイヤレス・アナログ技術開発部

• 杉井 信之

  (株)日立製作所 中央研究所

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 篠原 博文

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 宮野 信治

  STARC

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 山岡 雅直

  日立製作所 中央研究所

• 蒲原 史朗

  超低電圧デバイス技術研究組合

• 小野 崇人

  東北大学

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科

• 新宮原 正三

  関西大学大学院工学研究科

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• Putra Arifin

  東京大学生産技術研究所

• 竹内 潔

  日本電気

• 高村 禅

  北陸先端大院・マテリアルサイエンス

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学

• 浦岡 行治

  奈良先端大

• 羽根 一博

  東北大学

• 一木 隆範

  東大院・工・バイオエンジニアリング

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 松井 真二

  兵庫県立大高度研

• 森 伸也

  阪大院工

• 森 伸也

  阪大工

• 辰巳 哲也

  ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門

• 辰巳 哲也

  技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室

• 鳥海 明

  東大

• 金田 千穂子

  富士通研

• 小田中 紳二

  阪大

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 金田 千穂子

  富士通研究所

• 石田 誠

  豊橋技科大

• 井谷 俊郎

  Selete

• 上野 和良

  芝浦工大

• 坂本 邦博

  産総研

• 芝原 健太郎

  広大

• 須田 良幸

  農工大

• 高橋 庸夫

  北大

• 久本 大

  日立

• 廣瀬 和之

  宇宙研

• 水野 文二

  UJTラボ

• 須田 良幸

  農工大・工

• 一木 隆範

  東洋大学・工

• 新宮原 正三

  関西大

• 井谷 俊郎

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 鳥海 明

  東大・物工

• 鳥海 明

  東大院工

• 辰巳 哲也

  ソニー

• 高村 禅

  北陸先端大

• 平本 俊郎

  東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター

• 森 伸也

  阪大

• 小野 崇人

  東北大学大学院工学研究科

• 小田 俊理

  東工大

• 高橋 庸夫

  東北大・工

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 筒井 元

  東京大学生産技術研究所

• 齋藤 真澄

  東京大学生産技術研究所

• 南雲 俊治

  東京大学生産技術研究所

• Hane Kazuhiro

  Department Of Mechatronics & Precision Engineering Tohoku University

• Hane Kazuhiro

  Faculty Of Engineering Tohoku University

• 井谷 俊郎

  Nec

• 宮崎 誠一

  広大

• 松井 真二

  兵庫県立大

• 高橋 庸夫

  日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• Oda S

  Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn

• Oda S

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology

• Oda Shunri

  Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut

• Oda Shunri

  The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology

• 齋藤 真澄

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 一木 隆範

  東大

• 一木 隆範

  東京大学大学院工学系研究科バイオエンジニアリング専攻

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 小野 崇人

  東北大

• 羽根 一博

  東北大学大学院

• 小田 俊理

  東京工業大学総合理工学研究科

• 一木 隆範

  東大 大学院工学系研究科

• 羽根 一博

  東北大学大学院工学研究科

• 一木 隆範

  東京大学 大学院工学系研究科 バイオエンジニアリング専攻

• 宋 驍嵬

  東京大学生産技術研究所

• 羽根 一博

  東北大

• 山口 泰男

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 角村 貴昭

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 尾田 秀一

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 岩松 俊明

  超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)

• 青野 英樹

  超低電圧デバイス技術研究組合:ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 平本 俊郎

  東京大学

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著作論文

• 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
• 新規格化法を用いたファブ/テクノロジ/水準間比較によるランダムしきい値ばらつき評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 1.MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
• シリコン技術
• (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• C-11-1 微細MOSトランジスタの特性ばらつきの研究(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響
• Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源 : 極薄SOIを用いた実験的考察(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 膜厚4nm以下の(110)面極薄SOIシングルゲート/ダブルゲートn/p MOSFETにおける一軸引っ張り歪みによる移動度向上(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
• (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
• (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Beyond CMOS とは?
• 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価
• 6.新構造MOSトランジスタ技術(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
• CT-1-1 10nm世代に向けたMOSトランジスタの特性ばらつき克服に向けて(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• シリコンナノスケールデバイス(半導体Si及び関連材料・評価)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ(プロセス科学と新プロセス技術)
• 100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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