100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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概要

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• しきい値電圧(V_<TH>)ばらつき測定用の超大規模DMA-TEGを設計・試作し,65nm技術で作製した100億個のトランジスタにおけるV_<TH>ばらつきを評価した.その結果,nFETのV_<TH>ばらつきは±6.5σまでほぼ正規分布に従うことが分かった.一方,pFETのV_<TH>ばらつきは,分布の低V_<TH>領域でテール部分が見られることを明らかにした.3Dデバイスシミュレーションと詳細なトランジスタ特性の実測により,非正規分布の原因を解析した.

• 2012-01-20

著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• KUMAR Anil

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

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