DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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DMA SRAM TEGを用いて,各トランジスタのV_<th>, DIBL, gm,基板バイアス係数を実測し,スタティックノイズマージンとの関連を調べた.その結果,V_<th>のみでなく,DIBLがSRAMの安定性に大きく影響を与えていることを明らかにした.SRAMの安定性を正確に見積もるには,DIBLばらつきを考慮することが必須である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-01-24
著者
-
角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
竹内 潔
MIRAI-Selete
-
角村 貴昭
MIRAI-Selete
-
西田 彰男
MIRAI-Selete
-
蒲原 史朗
MIRAI-Selete
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
最上 徹
Necシリコンシステム研究所
-
最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
稲葉 聡
MIRAI-Selete
-
最上 徹
MIRAI-Selete
-
鈴木 誠
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
宋 驍嵬
東京大学生産技術研究所
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