Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 (シリコン材料・デバイス)

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概要

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• 2011-08-25

著者

• 西田 彰男

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• KUMAR Anil

  東京大学生産技術研究所

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