KUMAR Anil | 東京大学生産技術研究所
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概要
関連著者
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KUMAR Anil
東京大学生産技術研究所
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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水谷 朋子
東京大学生産技術研究所
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竹内 潔
MIRAI-Selete
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西田 彰男
MIRAI-Selete
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蒲原 史朗
MIRAI-Selete
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稲葉 聡
MIRAI-Selete
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最上 徹
MIRAI-Selete
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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西田 彰男
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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寺田 和夫
広島市立大学
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
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Hiramoto T
Univ. Tokyo
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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最上 徹
Necシリコンシステム研究所
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Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
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Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
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寺田 和夫
広島市大学院情報科学研究科
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最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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角村 貴昭
MIRAI-Selete
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寺田 和夫
広島市立大学大学院情報科学研究科
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更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
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宮野 信治
STARC
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角村 貴昭
(株)半導体先端技術テクノロジーズ
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平本 俊郎
東大
著作論文
- 依頼講演 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 (集積回路)
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析 (集積回路)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 (集積回路)
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析 (シリコン材料・デバイス)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 (シリコン材料・デバイス)
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
- Takeuchi プロットを用いた High-k/Metal-Gate MOSFET のばらつき評価
- 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
- Takeuchi プロットを用いた High-k/Metal-Gate MOSFET のばらつき評価
- 100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき
- SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- SRAMセル安定性指標パラメータの検討 : ノイズマージンかVminか?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- SRAMセル安定性指標パラメータの検討 : ノイズマージンかVminか?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 110億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))