Hiramoto Toshiro | Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

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概要

• 同名の論文著者
• Institute Of Industrial Science University Of Tokyoの論文著者

関連著者

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshirou

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• 竹内 潔

  MIRAI-Selete

• 平本 俊郎

  東大

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 西田 彰男

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 西田 彰男

  MIRAI-Selete

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 蒲原 史朗

  MIRAI-Selete

• ISHIKURO Hiroki

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• SAITOH Masumi

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Ishikuro H

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• 清水 健

  天理よろず相談所病院小児科

• 清水 健

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 清水 健

  東京大学生産技術研究所

• 清水 健

  埼玉社会保険病院病理

• 清水 健

  北海道大学大学院工学研究科

• Ishikuro Hiroki

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• KUMAR Anil

  東京大学生産技術研究所

• 稲葉 聡

  MIRAI-Selete

• 最上 徹

  MIRAI-Selete

• NAGUMO Toshiharu

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• TAKAMIYA Makoto

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• 角村 貴昭

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 角村 貴昭

  MIRAI-Selete

• SARAYA Takuya

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Takamiya Makoto

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Takamiya Makoto

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• SARAYA Takuya

  The Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• INUKAI Takashi

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• 寺田 和夫

  広島市大学院情報科学研究科

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• Shi Yi

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo:department Of Physics Nanjing University

• Duyet Tran

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 大藤 徹

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• Shi Yi

  Institute Of Biophysics Academia Sinica

• MIYAJI Kousuke

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• プトラ アリフィン・タムシル

  東京大学

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• SAITO Keisuke

  Application Laboratory

• Saito Keisuke

  Application Laboratory Analytical Division Philips Japan Ltd.

• Saito K

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• SAITO Kenichi

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• SAITOH Masumi

  Toshiba Corporation

• OHTOU Tetsu

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• INUKAI Takashi

  The Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• Saito Kenichi

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 平本 俊郎

  東大生研

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 鈴木 誠

  東京大学生産技術研究所

• 筒井 元

  東京大学生産技術研究所

• 齋藤 真澄

  東京大学生産技術研究所

• 南雲 俊治

  東京大学生産技術研究所

• 清水 健

  東大生研

• 更屋 拓哉

  東大生研

• IKOMA Toshiaki

  Texas Instruments Tsukuba R&D Center

• TSUTSUI Gen

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• YASUDA Yuri

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• KOBAYASHI Masaharu

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• TAKAHASHI Nobuyoshi

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• KOURA Hiroshi

  Institute of Industrial Science, the University of Tokyo

• 齋藤 真澄

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• Putra Arifin

  東京大学生産技術研究所

• 深井 利憲

  MIRAI-Selete

• 寺田 和夫

  広島市立大学大学院情報科学研究科

• 平本 俊郎

  MIRAI-Selete

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 杉井 信之

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 陳 杰智

  東京大学生産技術研究所

• 三本杉 安弘

  (株)富士通研究所

• 野田 研二

  NSCore

• 三本杉 安弘

  富士通研究所

• 竹内 潔

  日本電気システムデバイス研究所

• 横山 弘毅

  東京大学生産技術研究所

• Im Hyunsik

  Institute Of Industrial Science

• Im Hyunsik

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Yasuda Yukio

  School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology

• Majima Hideaki

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Kamohara Shiro

  Mirai-selete

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• NISHIDA Akio

  MIRAI-Selete

• HASHIGUCHI Gen

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Fujii T

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• FUJII Tomoyuki

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• IKOMA Toshiaki

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• HASHIGUCHI Gen

  Faculty of Engineering, Kagawa University

• 鄭 然周

  東京大学生産技術研究所

• Chen Jiezhi

  東京大学生産技術研究所

• 小野 崇人

  東北大学

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科

• 新宮原 正三

  関西大学大学院工学研究科

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 竹内 潔

  日本電気

• 高村 禅

  北陸先端大院・マテリアルサイエンス

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学

• 浦岡 行治

  奈良先端大

• 羽根 一博

  東北大学

• 一木 隆範

  東大院・工・バイオエンジニアリング

• SAKURAI Takayasu

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 松井 真二

  兵庫県立大高度研

• 森 伸也

  阪大院工

• 森 伸也

  阪大工

• 辰巳 哲也

  ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門

• 辰巳 哲也

  技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室

• 鳥海 明

  東大

• 金田 千穂子

  富士通研

• 小田中 紳二

  阪大

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 金田 千穂子

  富士通研究所

• 石田 誠

  豊橋技科大

• 井谷 俊郎

  Selete

• 上野 和良

  芝浦工大

• 坂本 邦博

  産総研

• 芝原 健太郎

  広大

• 須田 良幸

  農工大

• 高橋 庸夫

  北大

• 久本 大

  日立

• 廣瀬 和之

  宇宙研

• 水野 文二

  UJTラボ

• 須田 良幸

  農工大・工

• 一木 隆範

  東洋大学・工

• 新宮原 正三

  関西大

• 井谷 俊郎

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 鳥海 明

  東大・物工

• 鳥海 明

  東大院工

• 辰巳 哲也

  ソニー

• 高村 禅

  北陸先端大

• 平本 俊郎

  東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター

• 森 伸也

  阪大

• 小野 崇人

  東北大学大学院工学研究科

• SAITOH Masumi

  Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• 小田 俊理

  東工大

• 高橋 庸夫

  東北大・工

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• Fujita H

  3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Garnier A

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• Garnier Amalia

  Laboratory Of Integrated Micro-mechatronics Systems (limms) Cnrs-iis The University Of Tokyo:(presen

• Hane Kazuhiro

  Department Of Mechatronics & Precision Engineering Tohoku University

• Hane Kazuhiro

  Faculty Of Engineering Tohoku University

• Majima Hideaki

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• 井谷 俊郎

  Nec

• 宮崎 誠一

  広大

• 松井 真二

  兵庫県立大

• 高橋 庸夫

  日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• Putra Arifin

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• Oda S

  Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn

• Oda S

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology

• Oda Shunri

  Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut

• Oda Shunri

  The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology

• TAMSIR Arifin

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• JANUAR Doni

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Fujita Hiroyuki

  3rd Department, Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Garnier Amalia

  3rd Department, Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Orsier Elisabeth

  CEA DTA LETI DMITEC

• Peuzin Jean

  Laboratoire de Magnetisme,CNRS

• Mackay Ken

  Laboratoire de Magnetisme,CNRS

• Hiramoto Toshiro

  3rd Department, Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• 下川 公明

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 堂前 泰宏

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 長友 良樹

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 井田 次郎

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• YOKOYAMA Kouki

  Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• SAITO Toshiki

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• MOCHIZUKI Yasunori

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• WANG Haining

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• NAGATA Eiji

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• YANAGIDAIRA Kosuke

  Graduate School of Science and Engineering, Chuo University

• YANAGIDAIRA Kosuke

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• GOMYO Hiroyuki

  Institute of Industrial Science, the University of Tokyo

• KAWAGUCHI Hiroshi

  Institute of Industrial Science, the University of Tokyo

• 一木 隆範

  東大

• 一木 隆範

  東京大学大学院工学系研究科バイオエンジニアリング専攻

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

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著作論文

• 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
• 新規格化法を用いたファブ/テクノロジ/水準間比較によるランダムしきい値ばらつき評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 1.MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
• 増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき : 現状と対策
• シリコン技術
• (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• C-11-1 微細MOSトランジスタの特性ばらつきの研究(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• Untitled - Foreword
• 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• Random Threshold Voltage Variability Induced by Gate-Edge Fluctuations in Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
• Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源 : 極薄SOIを用いた実験的考察(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 膜厚4nm以下の(110)面極薄SOIシングルゲート/ダブルゲートn/p MOSFETにおける一軸引っ張り歪みによる移動度向上(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
• Room Temperature Coulomb Blockade and Low Temperature Hopping Transport in a Multiple-Dot-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor ( Quantum Dot Structures)
• Fabrication of Si Nanostructures for Single Electron Device Applications by Anisotropic Etching
• Modeling of Body Factor and Subthreshold Swing in Short Channel Bulk MOSFETs
• Mobility Increase in High-Ns Region in (110)-Oriented UTB pMOSFET Through Surface Roughness Improvement
• Very Sharp Room-Temperature Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistor with High Voltage Gain
• Experimental Study on the Universality of Mobility Behavior in Ultra Thin Body Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors
• Temperature Dependence of Off-Current in Bulk and Fully Depleted SOI MOSFETs
• Temperature Dependence of Off-Current in Bulk and FD SOI MOSFETs
• (マイクロマシン)
• High Performance Accumulated Back-Interface Dynamic Threshold SOI MOS-FET's (AB-DTMOS) with Large Body Effect at Low Supply Voltage
• (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Beyond CMOS とは?
• 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 6.新構造MOSトランジスタ技術(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
• Device Design of Nanoscale MOSFETs Considering the Suppression of Short Channel Effects and Characteristics Variations(Device,Low-Power, High-Speed LSIs and Related Technologies)
• Short-Channel Characteristics of Variable-Body-Factor Fully-Depleted Silicon-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistors
• Short Channel Characteristics of Variable Body Factor FD SOI MOSFETs
• Variable Body Effect Factor Fully Depleted Silicon-On-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor for Ultra Low-Power Variable-Threshold-Voltage Complementary Metal Oxide Semiconductor Applications
• Future Electron Devices and SOI Technology : Semi-Planar SOI MOSFETs with Sufficient Body Effect
• Charge Polarity Dependence of Negative Differential Conductance in Room-Temperature Operating Silicon Single-Charge Transistors
• Evidence for Creation of Gallium Antisite Defect in Surface Region of Bleat-Treated GaAs
• Effects of Dot Size and its Distribution on Electron Number Control in Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor Memories Based on Silicon Nanocrystal Floating Dots
• Characteristic Distributions of Narrow Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Memories with Silicon Nanocrystal Floating Gates
• Effects of Channel Thinning on Threshold Voltage Shift in Ultrathin-Body Silicon Nanocrystal Memories
• Large Threshold Voltage Shift and Narrow Threshold Voltage Distribution in Ultra Thin Body Silicon Nanocrystal Memories
• Optimum Device Parameters and Scalability of Variable Threshold Voltage Complementary MOS (VTCMOS)
• Optimum Condutions of Body Effect Factor and Substrate Bias in Variable Threshold Voltage MOSFETs
• Optimum Conditions of Body Effect Factor and Substrate Bias in Variable Threshold Voltage MOSFETs
• Measurement of Energetic and Lateral Distribution of Interface State Density in Fully-Depleted Silicon on Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
• High-Performance Accumulated Back-Interface Dynamic Threshold SOI MOSFET (AB-DTMOS) with Large Body Effect at Low Supply Voltage
• Measurement of Energetic and Lateral Distribution of Interface State Density in FD SOI MOSFETs
• Suppression of Geometric Component of Charge Pumping Current in Thin Film Silicon on Insulator Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
• Characteristics of Narrow Channel MOSFET Memory Based on Silicon Nanocrystals
• Effects of Interface Traps on Charge Retention Characteristics in Silicon-Quantum-Dot-Based Metal-Oxide-Semiconductor Diodes
• Characteristics of Narrow Channel MOSFET Memory Based on Silicon Nanocrystals
• Extremely Large Amplitude Random Telegraph Signals in a Very Narrow Split-Gate MOSFET at Low Temperatures
• Extremely Large Amplitude of Random Telegraph Signals in a Very Narrow Split-Gate MOSFET at Low Temperatures
• Re-Examination of Impact of Intrinsic Dopant Fluctuations on Static RAM (SRAM) Static Noise Margin
• Large Electron Addition Energy above 250 meV in a Silicon Quantum Dot in a Single-Electron Transistor
• 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 集積シリコン単電子トランジスタ回路を用いた電流スイッチング及びアナログパターンマッチングの室温実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• Suppression of Stand-by Tunnel Current in Ultra-Thin Gate Oxide MOSFETs by Dual Oxide Thickness-Multiple Threshold Voltage CMOS(DOT-MTCMOS)
• Tunneling Barrier Structures in Room-Temperature Operating Silicon Single-Electron and Single-Hole Transistors
• Origin of Critical Substrate Bias in Variable Threshold Voltage Complementary MOS (VTCMOS)
• Origin of Critical Substrate Bias in Variable Threshold Voltage CMOS
• Special Issue on Advanced Sub-0.1 μm CMOS Devices
• Mobility Degradation in (110)-Oriented Ultra-thin Body Double-Gate pMOSFETs with SOI Thickness of less than 5nm
• Large Coulomb-Blockade Oscillations and Negative Differential Conductance in Silicon Single-Electron Transistors with [100]- and [110]-Directed Channels at Room Temperature
• Room Temperature Demonstration of Variable Full Width at Half Maximum of Coulomb Oscillation in Silicon Single-Hole Transistor
• Reverse Short-Channel Effect of Body Factor in Low-Fin Field-Effect Transistors Induced by Corner Effect
• Low Power and Low Voltage MOSFETs with Variable Threshold Voltage Controlled by Back-Bias (Special Issue on Low-Power High-Speed CMOS LSI Technologies)
• Effects of Discrete Quantum Levels on Electron Transport in Silicon Single-Electron Transistors with an Ultra-Small Quantum Dot
• Re-examination of Impact of Intrinsic Dopant Fluctuations on SRAM Static Noise Margin
• Impact of Drain Induced Barrier Lowering on Read Scheme in Silicon Nanocrystal Memory with Two-Bit-per-Cell Operation
• Room-Temperature Observation of Negative Differential Conductance Due to Large Quantum Level Spacing in Silicon Single-Electron Transistor
• Suppression of Stand-by Tunnel Current in Ultra-Thin Gate Oxide MOSFETs by Dual Oxide Thickness MTCMOS(DOT-MTCMOS)
• 微細MOSFETの特性ばらつきに関する最近の動向について
• Large Temperature Dependence of Coulomb Blockade Oscillations in Room-Temperature Operating Silicon Single-Hole Transistor
• Room-Temperature Operation of Current Switching Circuit Using Integrated Silicon Single-Hole Transistors
• Origin of Larger Drain Current Variability in N-Type Field-Effect Transistors Analyzed by Variability Decomposition Method
• DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• シリコンナノスケールデバイス(半導体Si及び関連材料・評価)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ(プロセス科学と新プロセス技術)
• 100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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