Very Sharp Room-Temperature Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistor with High Voltage Gain
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概要
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- 2005-09-13
著者
-
SAITOH Masumi
Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Hiramoto T
Univ. Tokyo
-
SAITOH Masumi
Toshiba Corporation
-
MIYAJI Kousuke
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo:institute Of Industrial Science The Univers
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Hiramoto Toshiro
Inst. Of Industrial Science And Cinqie University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
Saitoh Masumi
Advanced Lsi Technology Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Miyaji Kousuke
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
HIRAMOTO Toshiro
Institute Industrial Science, The University of Tokyo
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