Low Power and Low Voltage MOSFETs with Variable Threshold Voltage Controlled by Back-Bias (Special Issue on Low-Power High-Speed CMOS LSI Technologies)

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概要

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• We have studied the characteristic trade-offs in low power and low voltage MOSFETs from the viewpoint of back-gate control and body effect factor. Previously reported MOSFET structures are classified into four categories in terms of back-gate structures. It is shown that a MOSFET with a fixed back-bias has only a limited current drive at low voltage irrespective of device structures, while current drive of a dynamic threshold MOSFET with body tied to gate is more enhanced with increasing body effect factor. We have proposed a new dynamic threshold MOSFET, electrically induced body (EIB) DTMOS, which has a very large body effect factor at low threshold voltage and high current drive at low supply voltage.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-02-25

著者

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• TAKAMIYA Makoto

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Takamiya Makoto

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Takamiya Makoto

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo:institute Of Industrial Science The Univers

• Hiramoto Toshiro

  Inst. Of Industrial Science And Cinqie University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

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