極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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極薄膜SOIトランジスタは,短チャネル効果耐性に優れ将来のデバイス構造の候補として期待されている.SOI層が極めて薄場合には,量子閉じ込め効果の影響でキャリア伝導特性が従来のMOSFETとは異なるという現象が現れる.本論文では,極薄膜SOI MOSFETの移動度に注目し,量子閉じ込め効果による移動度向上策について報告する.(110)面基板上に作製されたPFETでは,量子閉じ込め効果によってフォノン散乱が抑制されてSOI膜厚4nm程度で正孔移動度が向上することが実験的に明らかとなった.一方,(110)面基板上のNFETでは,ダブルゲート動作を行った場合にボリュームインバージョン効果により表面ラフネス散乱が抑制されて電子移動度が向上することが実験により観測された.さらに,PFET,NFETともに極薄膜SOIトランジスタにおいてもひずみを印加することにより移動度が向上することが明らかとなった.将来の極微細トランジスタにおいては,量子効果を考慮したデバイス設計が不可欠である.
- 2008-06-02
著者
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
-
平本 俊郎
東大
-
清水 健
天理よろず相談所病院小児科
-
清水 健
埼玉大学大学院理工学研究科
-
清水 健
東京大学生産技術研究所
-
筒井 元
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshirou
Device Development Center Hitachi Ltd.
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
清水 健
埼玉社会保険病院病理
-
清水 健
北海道大学大学院工学研究科
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
清水 健
千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学
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