基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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概要

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• 本報告では,10nmのBOX膜厚のSOI基板上に作成した140nm世代の単体デバイスとリングオシレータの評価により,以前提案したγ可変完全空乏型SOI MOSFETが基板バイアススキームにおいて有利であることを実験的に示した.このデバイスの測定により,回路待機時のリーク電流抑制と回路動作時の高速動作を明らかにした.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-01-19

著者

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 大藤 徹

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 下川 公明

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 堂前 泰宏

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 長友 良樹

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 井田 次郎

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 井田 次郎

  沖電気

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