下川 公明 | 沖電気研究本部デバイス研究開発部

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概要

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• 沖電気研究本部デバイス研究開発部の論文著者

関連著者

• 下川 公明

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 吉丸 正樹

  沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ

• 下川 公明

  沖電気工業

• 吉丸 正樹

  沖電気工業(株)シリコンソリューションカンパニー研究本部

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 大藤 徹

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 堂前 泰宏

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 長友 良樹

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 井田 次郎

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 井田 次郎

  沖電気

• 宇佐見 隆志

  沖電気工業

• 宇佐見 隆志

  沖電気工業超lsi研究開発センタ

• 吉江 徹

  沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ

• 伊野 昌義

  沖電気工業超LSI研究開発センタ

• 井田 次郎

  沖電気工業株式会社

• 北 明夫

  沖電気工業

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 井田 次郎

  沖電気工業 超lsi研究開発センター

• 伊野 昌義

  沖電気工業

• 鉄田 博

  沖電気工業株式会社生産センタ

• 〓田 博

  沖電気工業株式会社 生産センタ

• おの田 博

  沖電気工業

• 大友 篤

  沖電気工業 超lsi研究開発センター

• 小泉 賢

  沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ

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著作論文

• 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価
• 低誘電率SiOF膜の0.35μmCMOSへの適用
• TEOS-O_3 APCVD SiO_2の成膜機構検討
• PECVD SiOF膜の構造検討(II)
• PECVD SiOF膜の構造検討
• Alボイドに与えるパッシベ-ション膜応力の影響

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