長友 良樹 | 沖電気研究本部デバイス研究開発部

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概要

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関連著者

• 長友 良樹

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 長友 良樹

  沖電気工業株式会社

• 伊藤 眞宏

  沖電気工業株式会社

• 伊藤 眞宏

  沖電気工業

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 吉田 匡宏

  沖電気工業株式会社生産センタ

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 福田 浩一

  沖電気工業株式会社

• 三浦 規之

  沖電気工業株式会社

• 小松原 弘毅

  沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部

• 林 洋一

  沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部

• 谷島 司

  沖電気工業株式会社超LSI研究センタ

• 若山 恵一

  宮城沖電気株式会社

• 西谷 明人

  沖電気工業株式会社生産センタ

• 長友 良樹

  宮城沖電気株式会社

• 大藤 徹

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 下川 公明

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 堂前 泰宏

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 井田 次郎

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 林 洋一

  沖電気工業株式会社

• 井田 次郎

  沖電気

• 小松原 弘穀

  沖電気工業株式会社シリコンソリューションカンパニー研究本部

• 小松原 弘毅

  半導体先端テクノロジーズ

• 大槻 欣男

  沖電気工業株式会社

• 林 洋一

  沖電気工業

• 高橋 和彦

  沖電気工業株式会社

• 伊野 昌義

  沖電気工業超LSI研究開発センタ

• 足利 欣哉

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 田野井 聡

  沖電気工業

• 大槻 欣男

  沖電気工業

• 上杉 勝

  沖電気工業

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 小林 康孝

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 岡田 敦彦

  沖電気工業株式会社

• 徳永 安弘

  沖電気工業株式会社

• 田邊 哲也

  沖電気工業株式会社

• 田野井 聡

  沖電気工業株式会社

• 山野辺 智美

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 一森 高示

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 小澤 晋也

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 高屋 浩二

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 林 孝尚

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 黒田 茂樹

  沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ

• 林 孝尚

  沖電気工業株式会社超lsi研究開発センタ

• 田邉 哲也

  沖電気工業株式会社

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 伊野 昌義

  沖電気工業

• 黒田 茂樹

  沖電気工業

• 土生津 義宗

  沖電気工業

• 黒田 茂樹

  沖電気工業超lsi研究開発センタ

• 上杉 勝

  沖電気工業株式会社

• 小泉 賢

  沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ

• 山内 美知子

  沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ

• 澤村 健司

  沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ

• 徳永 安弘

  沖電気工業

• 岡田 敦彦

  沖電気工業

• 長友 良樹

  ラピスセミコンダクタ(株)

• 永田 敏雄

  ラピスセミコンダクタ宮崎(株)

• 金丸 浩

  ラピスセミコンダクタ宮崎(株)

• 池上 正美

  ラピスセミコンダクタ宮崎(株)

• 半田 正人

  シチズンファインテックミヨタ(株)

• 中村 里克

  シチズンファインテックミヨタ(株)

• 内堀 邦彦

  シチズンファインテックミヨタ(株)

• 長友 良樹

  ラピスセミコンダクタ

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著作論文

• MOSFET開発におけるTCAD適用手法
• MOSFET開発におけるTCAD適用手法
• 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価
• 1Gb DRAMのための200Gb/sの不良ビット検索機能を備えたOn-Wafer BIST
• MO-CVDによるSrBi_2Ta_2O_9薄膜を用いた0.25μm級FeRAM用スタックキャパシタの開発
• LOCOSプロセス条件とアクティブの方向が接合リーク電流に与える影響
• 4Mb DRAMの開発
• SOS(シリコン・オン・サファイア)技術の最新動向 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
• 夢の実現--昨日、今日、明日 低消費電力 完全空乏型SOIデバイス開発のあゆみ (デバイス特集)
• 高圧酸化法によるSTI形成技術の検討
• 埋込みPoly-Siコンタクト(BPC)の開発
• 大容量メモリにおける冗長技術
• 光学モバイル用途に優れたSOQ(シリコン・オン・クォーツ)デバイス(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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