MO-CVDによるSrBi_2Ta_2O_9薄膜を用いた0.25μm級FeRAM用スタックキャパシタの開発
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概要
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- 2006-06-28
著者
-
足利 欣哉
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
-
小林 康孝
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
-
長友 良樹
沖電気研究本部デバイス研究開発部
-
長友 良樹
沖電気工業株式会社
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山野辺 智美
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
-
一森 高示
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
-
小澤 晋也
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
-
高屋 浩二
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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林 孝尚
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
-
林 孝尚
沖電気工業株式会社超lsi研究開発センタ
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