長友 良樹 | 沖電気工業株式会社
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概要
関連著者
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長友 良樹
沖電気研究本部デバイス研究開発部
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長友 良樹
沖電気工業株式会社
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伊藤 眞宏
沖電気工業株式会社
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伊藤 眞宏
沖電気工業
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高橋 和彦
沖電気工業株式会社
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伊野 昌義
沖電気工業超LSI研究開発センタ
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足利 欣哉
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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田野井 聡
沖電気工業
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大槻 欣男
沖電気工業
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上杉 勝
沖電気工業
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小林 康孝
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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岡田 敦彦
沖電気工業株式会社
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徳永 安弘
沖電気工業株式会社
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田邊 哲也
沖電気工業株式会社
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田野井 聡
沖電気工業株式会社
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山野辺 智美
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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一森 高示
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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小澤 晋也
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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高屋 浩二
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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林 孝尚
沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部
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黒田 茂樹
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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林 孝尚
沖電気工業株式会社超lsi研究開発センタ
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田邉 哲也
沖電気工業株式会社
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伊野 昌義
沖電気工業
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黒田 茂樹
沖電気工業
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土生津 義宗
沖電気工業
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黒田 茂樹
沖電気工業超lsi研究開発センタ
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上杉 勝
沖電気工業株式会社
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小泉 賢
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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大槻 欣男
沖電気工業株式会社
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山内 美知子
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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澤村 健司
沖電気工業(株)超LSI研究開発センタ
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徳永 安弘
沖電気工業
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岡田 敦彦
沖電気工業
著作論文
- 1Gb DRAMのための200Gb/sの不良ビット検索機能を備えたOn-Wafer BIST
- MO-CVDによるSrBi_2Ta_2O_9薄膜を用いた0.25μm級FeRAM用スタックキャパシタの開発
- LOCOSプロセス条件とアクティブの方向が接合リーク電流に与える影響
- 高圧酸化法によるSTI形成技術の検討