MOSFET開発におけるTCAD適用手法
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概要
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素子の微細化や高集積化にともない、LSI開発にかかる時間やコスト、特性バラツキが問題になってきており、TCADを用いた効率のよいLSI開発を行うことが求められている。このため、ローカルなプロセスウインドウにTCADを合わせこみ、その世代のデバイス最適化に用いる手法が行われている。我々は、ローカルモデルを量産時の特性バラツキ予測や次世代デバイス開発の0次試作に用いることの有用性を検討するために、実際の開発に適用した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-15
著者
-
吉田 匡宏
沖電気工業株式会社生産センタ
-
福田 浩一
沖電気工業株式会社
-
三浦 規之
沖電気工業株式会社
-
小松原 弘毅
沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部
-
林 洋一
沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部
-
谷島 司
沖電気工業株式会社超LSI研究センタ
-
若山 恵一
宮城沖電気株式会社
-
西谷 明人
沖電気工業株式会社生産センタ
-
長友 良樹
宮城沖電気株式会社
-
長友 良樹
沖電気研究本部デバイス研究開発部
-
林 洋一
沖電気工業株式会社
-
小松原 弘穀
沖電気工業株式会社シリコンソリューションカンパニー研究本部
-
小松原 弘毅
半導体先端テクノロジーズ
-
林 洋一
沖電気工業
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