簡易逆短チャネル効果モデルの検討 : 実デバイスへの適用

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概要

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本報告では、各不純物に対して拡散方程式を1本解くFairモデルを用いて、MOSFETのしきい電圧(V_<th>)の逆短チャネル効果(RSCE)を再現する簡易モデルについて述べる。本モデルは、ソース/ドレイン(S/D)インプラダメージによって引き起こされるゲート端でのドーパントパイルアップがRSCEの主要因である物理を反映する。モデル開発の目的は、ローカルプロセスウインドウ内で高精度に合わせ込むローカルモデリングでの利用である。本モデルの妥当性は、RSCEに対する様々なプロセス条件の依存性を通じて検討される。また、S/Dプロセス依存性を含めたnMOS、pMOSの実デバイスへの適用についても述べる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-09-21

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