半導体デバイスの非等温・非平衡シミュレーション

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概要

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キャリア温度と格子温度を共に考慮した非等温・非平衡シミュレーションのMOSFET解析に及ぼす影響を報告する.また,シミュレーションの安定した収束性と高い信頼性を得るために,エネルギー保存式の解法に有効ないくつかの手法を提案する.その手法は,変数の初期値見積もり,計算途中の非物理的な負のキャリア密度と温度の修正,そして順応メッシュ法である.その結果,シミュレーションのより速い収束性を得ることができた.MOSFETデバイスにおいて,このモデルを用いて解析した特性を従来モデルと比較した.その結果,非等温・非平衡輸送効果は,微細半導体素子において無視できないことがわかった.
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-09-14

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