先端ロジックプロセスに搭載する20V系MOSトランジスタ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2001-10-26
著者
関連論文
- TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 簡易逆短チャネル効果モデルの検討 : 実デバイスへの適用
- 簡易逆短チャネル効果モデルの検討 : 実デバイスへの適用
- MOSFET開発におけるTCAD適用手法
- MOSFET開発におけるTCAD適用手法
- ドーパントパイルアップを考慮した簡易逆短チャネル効果モデルの検討
- ドーパントパイルアップを考慮した簡易逆短チャネル効果モデルの検討
- ドーパントパイルアップを考慮した簡易逆短チャネル効果モデルの検討
- 統合シミュレーションシステムUNISAS-Xの開発
- キャリアのエネルギー輸送を考慮したMOSFETの内部温度解析
- 非等温場におけるエネルギー輸送を考慮した半導体デバイスシミュレーション
- 半導体デバイスの非等温・非平衡シミュレーション
- MOSFET のスイッチングの動作の数値シミュレーション
- 非等温シミュレータを用いたMOSFET解析
- 順応メッシュ型デバイスシミュレーションの検討（その２）
- インバースモデリングによるMOSFETの疑似2次元プロファイル抽出
- インバースモデリング技術を用いたMOSFETチャネルプロファイル抽出法の検討
- C-11-3 完全空乏型SOI-MOSFETのパストランジスタ特性
- 先端ロジックプロセスに搭載する20V系MOSトランジスタ