ドーパントパイルアップを考慮した簡易逆短チャネル効果モデルの検討

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概要

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本報告では、各々の不純物に対して1本の方程式を解く従来の拡散モデルを用いて、MOSFETのしきい電圧の逆短チャネル効果を再現できる簡易モデルについて述べる。本モデルは逆短チャネル効果の主要因がインプラダメージによって引き起こされるゲート端でのドーパントパイルアップである物理を反映している。また、本モデルを用いた実デバイス開発への応用についても報告する。計算時間はペア拡散モデルと比較して極端に短いため、本手法は複数回のシミュレーションの実行を必要とするモデルパラメータキャリブレーションやプロセス・デバイス・回路間の感度解析やプロセス最適化やプロセスバラツキ解析などのTCADの実際の利用に有効である。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-08-27

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