TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化
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概要
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素子の微細化とともにチャネル不純物分布やドレイン構造が複雑になり, デバイス特性間のトレードオフが厳しくなるために, 複数の目標特性を同時に満足する製造プロセス条件を求めることがますます難しくなってきている. 一方で, 開発コストの削減のために, シミュレーションを用いて製造条件の最適化を短期間で行なうことが求められている. 我々はプロセス・デバイスシミュレータと応答曲面モデル(RSM)を用いた自動パラメータ最適化システムによって, 半導体製造プロセス条件の最適化を行ない, 0.3μmレベルMOSFETデバイス電気特性間のトレードオフを評価した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-25
著者
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