希釈ウェット雰囲気中のシリコン熱酸化モデルの検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
H_2, O_2/N_2混合ガスを用いた希釈ウェット雰囲気中でのシリコン熱酸化実験を希釈率を変えて行った。酸化膜成長を従来のリニアーパラボリック酸化モデルを用いて検討した。その結果、希釈ウェット酸化では酸化速度がO_2によるものとH_2Oによるものとの独立な過程を仮定したモデルでは説明できず、むしろH_2Oの分圧に対してサブリニアに依存すること示した。H_2とO_2がSi/SiO_2界面における反応に何らかの影響を与えていることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-13
著者
関連論文
- TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化 (半導体特集) -- (先端プロセスとデバイス技術)
- MOSFETスナップバック特性のプロセスデバイスシミュレーション
- MOSFETスナップバック特性のプロセスデバイスシミュレーション
- MOSFETスナップバック特性のプロセスデバイスシミュレーション
- MOSFETスナップバック特性のプロセスデバイスシミュレーション
- TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化
- TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化
- TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化
- 統合シミュレーションシステムUNISAS-Xの開発
- プロセスシミュレ-ションにおける多層構造酸化モデルの開発
- TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化
- インバースモデリングによるMOSFETの疑似2次元プロファイル抽出
- インバースモデリング技術を用いたMOSFETチャネルプロファイル抽出法の検討
- LOCOSプロセス条件とアクティブの方向が接合リーク電流に与える影響
- フラッシュメモリセルBBT現象のシミュレーションによる解析と高信頼性セルの開発(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- サリサイドMOSFETのプロセス/デバイス一貫シミュレーション
- 半導体プロセス・デバイス・回路のモデリングとシミュレーション
- 内標準法に基づく浅いドーパントプロファイルの高精度SIMS測定
- 希釈ウェット雰囲気中のシリコン熱酸化モデルの検討
- 酸化/拡散, イオン注入シミュレーション
- プロセスシミュレーションの現状と課題