熱的三次元効果を考慮した非等温デバイスシミュレーション
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概要
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非等温デバイスシミュレータ三次元鍍シミュレータを結合させることにより, トランジスタの自己発熱及び他の素子との熱相互作用が電気特性に及ぼす影響について報告する. 結果として, チップ内の温度はトランジスタ間距離などの回路レイアウトに大きく依存することがわかった. さらに, シリコンMOSFET解析を行った結果, たとえトランジスタの電気的及び幾何学的条件が同一の場合でも, 他の素子からの熱相互作用により電気特性が変化することがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-26
著者
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