Hiramoto Toshiro | The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uniの論文著者

関連著者

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshirou

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• 竹内 潔

  MIRAI-Selete

• 平本 俊郎

  東大

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi

• 西田 彰男

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 西田 彰男

  MIRAI-Selete

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 蒲原 史朗

  MIRAI-Selete

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• 南雲 俊治

  東京大学生産技術研究所

• 齋藤 真澄

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• KUMAR Anil

  東京大学生産技術研究所

• 齋藤 真澄

  東京大学生産技術研究所

• 清水 健

  東京大学生産技術研究所

• 清水 健

  天理よろず相談所病院小児科

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 清水 健

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• 稲葉 聡

  MIRAI-Selete

• 最上 徹

  MIRAI-Selete

• 清水 健

  埼玉社会保険病院病理

• 清水 健

  北海道大学大学院工学研究科

• 清水 健

  千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学

• 角村 貴昭

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 角村 貴昭

  MIRAI-Selete

• 杉井 信之

  (株)日立製作所中央研究所

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 筒井 元

  東京大学生産技術研究所

• 大藤 徹

  東京大学生産技術研究所

• 寺田 和夫

  広島市大学院情報科学研究科

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• INUKAI Takashi

  The Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• Inukai T

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• プトラ アリフィン・タムシル

  東京大学

• 平本 俊郎

  東大生研

• 尾田 秀一

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 間島 秀明

  東京大学 生産技術研究所

• 平本 俊郎

  東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター

• 清水 健

  東大生研

• 更屋 拓哉

  東大生研

• INUKAI Takashi

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• 寺田 和夫

  広島市立大学大学院情報科学研究科

• 杉井 信之

  東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻

• 鈴木 誠

  東京大学生産技術研究所

• 犬飼 貴士

  東京大学生産技術研究所

• 間島 秀明

  東京大学生庭技術研究所

• SAITOH Masumi

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Saitoh Masumi

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• Putra Arifin

  東京大学生産技術研究所

• 深井 利憲

  MIRAI-Selete

• 平本 俊郎

  MIRAI-Selete

• 桜井 貴康

  東京大学

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 桜井 貴康

  東京大学生産技術研究所

• 陳 杰智

  東京大学生産技術研究所

• 三本杉 安弘

  (株)富士通研究所

• 野田 研二

  NSCore

• 三本杉 安弘

  富士通研究所

• 竹内 潔

  日本電気システムデバイス研究所

• 平本 俊郎

  東京大学大規模集積システム設計教育研究センター

• 横山 弘毅

  東京大学生産技術研究所

• 大澤 淳真

  東京大学生産技術研究所

• Im Hyunsik

  Institute Of Industrial Science

• Im Hyunsik

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Majima Hideaki

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• 高橋 信義

  松下電器産業K.K

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 鄭 然周

  東京大学生産技術研究所

• Chen Jiezhi

  東京大学生産技術研究所

• 下川 公明

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 堂前 泰宏

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 長友 良樹

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• 井田 次郎

  沖電気研究本部デバイス研究開発部

• TAKAHASHI Nobuyoshi

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• Majima H

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• 永田 英次

  東京大学生産技術研究所

• 井田 次郎

  沖電気

• 小野 崇人

  東北大学

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学マテリアルサイエンス研究科

• 新宮原 正三

  関西大学大学院工学研究科

• 小田 俊理

  東工大量子ナノエレ研セ

• 竹内 潔

  日本電気

• 高村 禅

  北陸先端大院・マテリアルサイエンス

• 高村 禅

  北陸先端科学技術大学院大学

• 浦岡 行治

  奈良先端大

• 羽根 一博

  東北大学

• 一木 隆範

  東大院・工・バイオエンジニアリング

• 小田 俊理

  東工大工

• 小田 俊理

  東工大量子ナノ研:sorst-jst

• 小田 俊理

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• ODA Shunri

  Research Center for Quantum Effect Electronics, Tokyo Institute of Technology

• 高橋 庸夫

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 松井 真二

  兵庫県立大高度研

• 野瀬 浩一

  東京大学生産技術研究所:(現)日本電気株式会社

• 野瀬 浩一

  日本電気株式会社:慶應義塾大学

• 川口 博

  神戸大学大学院工学研究科

• 森 伸也

  阪大院工

• 森 伸也

  阪大工

• 辰巳 哲也

  ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門

• 辰巳 哲也

  技術研究組合 超先端電子技術開発機構 プラズマ技術研究室

• 鳥海 明

  東大

• 金田 千穂子

  富士通研

• 小田中 紳二

  阪大

• 宮崎 誠一

  広大院先端研

• 齊藤 裕太

  中央大学 理工学部

• 金田 千穂子

  富士通研究所

• 石田 誠

  豊橋技科大

• 井谷 俊郎

  Selete

• 上野 和良

  芝浦工大

• 坂本 邦博

  産総研

• 芝原 健太郎

  広大

• 須田 良幸

  農工大

• 高橋 庸夫

  北大

• 久本 大

  日立

• 廣瀬 和之

  宇宙研

• 水野 文二

  UJTラボ

• 須田 良幸

  農工大・工

• 一木 隆範

  東洋大学・工

• 新宮原 正三

  関西大

• 井谷 俊郎

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 鳥海 明

  東大・物工

• 鳥海 明

  東大院工

• 辰巳 哲也

  ソニー

• 稲垣 賢一

  東京大学

• 高村 禅

  北陸先端大

• 森 伸也

  阪大

• 小野 崇人

  東北大学大学院工学研究科

• アントノ ダナルドノ

  東京大学

• 小田 俊理

  東工大

• 高橋 庸夫

  東北大・工

• 高橋 庸夫

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• Saito T

  Fujitsu Laboratories Limited

• Hane Kazuhiro

  Department Of Mechatronics & Precision Engineering Tohoku University

• Hane Kazuhiro

  Faculty Of Engineering Tohoku University

• Majima Hideaki

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 井谷 俊郎

  Nec

• 宮崎 誠一

  広大

• 松井 真二

  兵庫県立大

• 高橋 庸夫

  日本確信電話(株)ntt物性科学基礎研究所

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 王 海寧

  東京大学生産技術研究所

• 後明 寛之

  東京大学生産技術研究所

• 王 海寧

  東京大学 生産技術研究所

• 後明 寛之

  東京大学 生産技術研究所

• 齋藤 真澄

  東京大学 生産技術研究所

• 高橋 信義

  東京大学 生産技術研究所

• Oda S

  Tokyo Inst. Technology Tokyo Jpn

• Oda S

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• Oda Shunri

  Quantum Nanoelectronics Research Center Tokyo Institute Of Technology

• Oda Shunri

  Research Center For Quantum Effect Electronics And Department Of Physical Electronics Tokyo Institut

• Oda Shunri

  The Graduate School At Nagatsuta Tokyo Institute Of Technology

• 川口 博

  東京大学生産技術研究所

• ISHIKURO Hiroki

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• YASUDA Yuri

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• 神田 浩一

  東京大学生産技術研究所

• アントノ ダナルドノ

  東京大学生産技術研究所

• SAITO Toshiki

  The Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• SARAYA Takuya

  The Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• NAGUMO Toshiharu

  The Institute of Industrial Science, The University of Tokyo

• WANG Haining

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• NAGATA Eiji

  Institute of Industrial Science, University of Tokyo

• 服部 貞昭

  東京大学生産技術研究所

• 山田 大裕

  東京大学生産技術研究所

• 宮崎 隆行

  東京大学生産技術研究所

• 稲垣 賢一

  東京大学生産技術研究所

• Ishikuro H

  Univ. Tokyo Tokyo Jpn

• Ishikuro Hiroki

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• 一木 隆範

  東大

• 一木 隆範

  東京大学大学院工学系研究科バイオエンジニアリング専攻

• 高橋 庸夫

  北海道大学情報科学研究科

• 山田 大裕

  東京大学生産技術研究所:(現)みずほ証券株式会社

• 小野 崇人

  東北大

• 羽根 一博

  東北大学大学院

• 小田 俊理

  東京工業大学総合理工学研究科

• 原田 英浩

  東京大学生産技術研究所

• 高橋 信義

  東京大学生産技術研究所

• Nagata Eiji

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo:chuo University

• Yasuda Yuri

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo:chuo University

• 神田 浩一

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Arifin Tamsir

  東京大学生産技術研究所

• Saraya Takuya

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

もっと見る 閉じる

著作論文

• 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
• 新規格化法を用いたファブ/テクノロジ/水準間比較によるランダムしきい値ばらつき評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 1.MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
• 増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき : 現状と対策
• シリコン技術
• (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• シリコン極狭チャネルMOSFETにおける量子効果を利用したデバイス設計
• SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• VTCMOSに最適な基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 短チャネルlow-Fin FETの基板バイアス係数における角の効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 極薄SOI MOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきと移動度の振る舞い(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 低消費電力動作向けSemi-Planar SOI MOSFET(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 極薄SOI pMOSFET中において発現する量子閉じ込め効果によるしきい電圧調整範囲の増大(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• しきい値可変CMOS(VTCMOS)における反転層の有限厚さの影響(先端CMOS及びプロセス関連技術)
• しきい電圧可変完全空乏型SOIMOSFETのしきい電圧調整範囲
• しきい電圧可変完全空乏型SOI MOSFETのしきい電圧調整範囲
• C-11-1 微細MOSトランジスタの特性ばらつきの研究(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• 極狭チャネルMOSFETにおける量子力学的狭チャネル効果
• 極狭チャネルMOSFETにおける量子力学的狭チャネル効果
• シリコン微結晶を用いたメモリデバイスにおけるドットサイズとサイズのばらつきの影響評価とポテンシャル分布
• 極薄膜SOIトランジスタにおける量子効果による移動度向上(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響
• Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源 : 極薄SOIを用いた実験的考察(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 膜厚4nm以下の(110)面極薄SOIシングルゲート/ダブルゲートn/p MOSFETにおける一軸引っ張り歪みによる移動度向上(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• SOI膜厚5nmの(100)面極薄nMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
• (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
• (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
• シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Beyond CMOS とは?
• 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価
• 6.新構造MOSトランジスタ技術(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
• Suppression of Short Channel Effect in Triangular Parallel Wire Channel MOSFETs(Special Issue on Advanced Sub-0.1μm CMOS Devices)
• Effects of Dot Size and its Distribution on Electron Number Control in Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor Memories Based on Silicon Nanocrystal Floating Dots
• Characteristic Distributions of Narrow Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Memories with Silicon Nanocrystal Floating Gates
• A 0.5V, 400MHz, V_-Hopping Processor with Zero-V_ FD-SOI Technology(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
• 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 面方位(110)極薄SOI pMOSFETにおける高移動度の実験的検証(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 集積シリコン単電子トランジスタ回路を用いた電流スイッチング及びアナログパターンマッチングの室温実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証(量子効果デバイス及び関連技術)
• 極微細シリコンドットにおける量子力学的効果を用いた高機能単電子トランジスタ論理の室温実証(量子効果デバイス及び関連技術)
• 極狭細線チャネルを有するシリコン微結晶MOSFETメモリ
• 極狭細線チャネルを有するシリコン微結晶MOSFETメモリ
• 減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性
• 減圧CVDで形成したゲート酸化膜を有するシリコン単電子トランジスタの伝導特性
• Origin of Critical Substrate Bias in Variable Threshold Voltage Complementary MOS (VTCMOS)
• Origin of Critical Substrate Bias in Variable Threshold Voltage CMOS
• 微細MOSFETの特性ばらつきに関する最近の動向について
• DIBLを用いた低消費電力回路形式のための最適デバイス設計(先端CMOS及びプロセス関連技術)
• Room-Temperature Operation of Current Switching Circuit Using Integrated Silicon Single-Hole Transistors
• Room-Temperature Demonstration of Low-Voltage Static Memory Based on Negative Differential Conductance in Silicon Single-Hole Transistors
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
• DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 2-2 シリコンナノドットを用いたメモリデバイス : 2. ナノエレクトロニクス(ナノテクノロジーの光とエレクトロニクスへの応用)
• シリコンナノスケールデバイス(半導体Si及び関連材料・評価)
• ナノスケール狭チャネルMOSFETにおける量子効果
• TA-2-3 デバイス技術からみたサブ100nm低消費電力回路技術
• デバイスサイドからみたしきい値電圧可変CMOS回路技術
• デバイスサイドからみたしきい値電圧可変CMOS回路技術
• シリコンナノ構造を利用したメモリデバイス (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型SOI MOSFETにおける特性ばらつきとランダムテレグラフノイズ(プロセス科学と新プロセス技術)
• 100億トランジスタのしきい値電圧ばらつき(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術(低電圧・高信頼SRAM,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• SRAMセル安定性指標パラメータの検討 : ノイズマージンかVminか?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• SRAMセル安定性指標パラメータの検討 : ノイズマージンかVminか?(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク