しきい電圧可変完全空乏型SOIMOSFETのしきい電圧調整範囲
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概要
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完全空乏型SOIMOSFETにおいて、基板バイアスによって調整可能なしきい電圧V_<th>の範囲は、SOI-埋め込み酸化膜界面の反転・蓄積によって制限される。本研究は、新たなデバイスパラメータγ'を導入することによって、この調整可能範囲の膜厚依存性について解析的に明らかにした。さらに、この解析結果を実証するため、ノンドープの長チャネルデバイスの実測、およびシミュレーションを行った。実験の結果は解析結果とほぼ一致するものの、ややずれが生じる。このずれの原因について、電子分布を考慮した定性的な考察も行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-15
著者
-
平本 俊郎
東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター
-
南雲 俊治
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
南雲 俊治
東京大学生産技術研究所
-
犬飼 貴士
東京大学生産技術研究所
-
大澤 淳真
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
大澤 淳真
東京大学生産技術研究所:中央大学大学院理工学研究科
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