(110)面<100>方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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(110)面pMOSFETはその移動度の高さから将来のCMOSテクノロジにおいて有用な選択肢の一つであるが、移動度のユニバーサリティが成立しない原因についてはいまだに理解されていない。そこで、本研究では、(110)面pMOSFETにおいてSOI膜厚と温度を変化させて移動度のユニバーサリティを検証した。その結果、これまでの室温バルクの条件下においてはユニバーサリティが成立していた<100>方向においても、ユニバーサリティが崩壊することを初めて実験的に示した。その物理的な原因について方向依存性を持つ散乱の観点から検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-08-10
著者
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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平本 俊郎
東大生研
-
平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
-
清水 健
天理よろず相談所病院小児科
-
更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
-
清水 健
埼玉大学大学院理工学研究科
-
清水 健
東京大学生産技術研究所
-
Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
-
Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
-
清水 健
埼玉社会保険病院病理
-
清水 健
東大生研
-
更屋 拓哉
東大生研
-
清水 健
北海道大学大学院工学研究科
-
Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
-
清水 健
千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学
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