平本 俊郎 | 東大生研
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概要
関連著者
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平本 俊郎
東大生研
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平本 俊郎
東大
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平本 俊郎
日立製作所デバイス開発センタ
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所
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平本 俊郎
東京大学生産技術研究所:mirai-selete
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清水 健
東京大学生産技術研究所
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Hiramoto Toshiro
The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo
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清水 健
東大生研
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更屋 拓哉
東大生研
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道関 隆国
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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榎本 忠儀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
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矢野 和男
日立
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黒田 忠広
慶応
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内山 邦男
日立
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松澤 昭
松下
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大平 英雄
パケットビデオジャパン
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矢野 和男
(株)日立製作所中央研究所
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矢野 和男
早大理工
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大平 英雄
金沢大学大学院自然科学研究科
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清水 健
天理よろず相談所病院小児科
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更屋 拓哉
東京大学生産技術研究所
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清水 健
埼玉大学大学院理工学研究科
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道関 隆国
Ntt マイクロシステムインテグレーション研
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松澤 昭
松下電器産業
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矢野 和男
日立製作所基礎研究所
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道関 隆国
Ntt
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Hiramoto Toshiro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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清水 健
埼玉社会保険病院病理
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大平 英雄
金沢大 大学院自然科学研究科
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清水 健
北海道大学大学院工学研究科
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清水 健
千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学
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榎本 忠儀
中央大
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矢野 和男
(株)日立製作所中央研究所 システムLSI研究部
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西永 頌
東大工
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山口 邦彦
日立超lsiシステムズ
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丹場 展雄
日立製作所 デバイス開発センタ
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池田 隆英
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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丹波 展雄
日立製作所デバイス開発センタ
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丹場 展雄
筑波大・物理
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渡辺 邦彦
日立製作所 デバイス開発センタ
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池田 隆英
日立製作所 デバイス開発センタ
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大林 正幸
日立製作所デバイス開発センタ
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秋元 一泰
日立製作所デバイス開発センタ
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国分 尚徳
日立製作所デバイス開発センタ
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吉田 誠
日立製作所デバイス開発センタ
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藤原 剛
日立製作所デバイス開発センタ
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林 秀樹
日立超LSIエンジニアリング
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南部 博昭
日立製作所中央研究所
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山口 邦彦
日立製作所デバイス開発センタ
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吉田 誠
林病院外科
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林 秀樹
林病院外科
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渡辺 邦彦
日立製作所デバイス開発センタ
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西森 茂樹
東大工
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鷲山 昌子
東大工
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南部 博昭
日立製作所
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Hiramoto Toshiro
Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo
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大林 正幸
日立製作所 デバイス開発センタ
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鷲山 昌子
東大工学部
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榎本 忠儀
中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻
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矢野 和男
(株)日立製作所 中央研究所
著作論文
- 半導体技術のイノベーション--More MooreとBeyond CMOSの融合 (特集 「ポスト・ムーアの法則」時代におけるエレクトロニクス産業)
- サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前
- サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前 : パネルディスカッション
- アクセス時間1.5nsの60ps 11k論理ゲート付256kb BiCMOS SRAM
- サブ100nm時代のLSI低消費電力化技術 : これで優位化、これはできて当たり前
- ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- シリコンナノドットを用いた不揮発性メモリ (特集1 次世代不揮発メモリーの開発・高集積化とその市場)
- 超高集積Siデバイス (IT基盤研究開発 FED2001--2001年度新機能素子シンポジウム講演録)
- 単一電子デバイスとその応用の展望
- Material Report 極限CMOS開発の現状と将来展望
- (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- (110)面方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
- (110)面〈100〉方向pMOSFETにおける移動度ユニバーサリティ崩壊の実証
- 応用物性
- シリコンナノエレクトロニクスワークショップ報告
- (Ga,Al)As LPE成長におけるマクロステップとファセットの形成 : ステップ運動
- CT-1-1 10nm世代に向けたMOSトランジスタの特性ばらつき克服に向けて(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)