南部 博昭 | 日立製作所中央研究所
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概要
関連著者
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南部 博昭
日立製作所中央研究所
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山口 邦彦
日立超lsiシステムズ
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楠 武志
日立デバイスエンジニアリング
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金谷 一男
日立製作所中央研究所
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山崎 枢
日立製作所中央研究所
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南部 博昭
日立中央研究所
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日下田 恵一
日立製作所デバイス開発センタ
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金谷 一男
日立中央研究所
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本間 紀之
法政大学
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南部 博昭
日立製作所
著作論文
- アクセス時間1.5nsの60ps 11k論理ゲート付256kb BiCMOS SRAM
- タイミング自動調整回路を用い構成展開可能な超高速SRAMマクロ
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- SCL回路を用いたメモリ用デコーダ回路の検討
- 超高速SRAM回路技術 : 「A 1.8ns Access, 550MHz 4.5Mb CMOS SRAM」「Synonym Hit RAM: A 500MHz 1.5ns CMOS SRAM Macro with 576b Parallel Comparison and Parity Check Functions」
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- 超高速SRAM用ワード線放電回路の提案
- 超高速ECL-CMOS SRAMのビット線負荷の配置に関する検討
- 低電圧用途向けベースブースト方式BiCMOS回路