池田 隆英 | (株)日立製作所デバイス開発センタ

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著作論文

• 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
• SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術
• アクセス時間1.5nsの60ps 11k論理ゲート付256kb BiCMOS SRAM
• CMOSを融合したアクティブプルダウン論理回路
• SOI基板を用いたメインフレーム用0.3μm ECL-CMOSプロセス技術
• PD-SOI COMSデバイスのスケーリング

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