三浦 英生 | 日立機械研
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概要
関連著者
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三浦 英生
日立機械研
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三浦 英生
東北大
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三浦 英生
東北大学大学院工学研究科
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三浦 英生
(株)日立製作所機械研究所
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太田 裕之
(株)日立製作所
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石塚 典男
(株)日立製作所機械研究所
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太田 裕之
日立機械研究所
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池田 修二
日立製作所半導体事業部
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池田 修二
(株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ
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鈴木 範夫
(株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ
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河野 賢哉
(株) 日立製作所
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斉藤 直人
(株)日立製作所機械研究所
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三浦 英生
東北大学大学院工学研究科エネルギー安全科学国際研究センター
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熊谷 幸博
日立機械研
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岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
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池田 修二
(株)日立製作所半導体事業部
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石塚 典男
日立機械研
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守谷 浩志
日立製作所機械研究所
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守谷 浩志
(株)日立製作所 機械研究所
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河野 賢哉
日立機械研
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岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
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岩崎 富生
(株)日立製作所
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寺崎 健
株式会社日立製作所機械研究所高度設計シミュレーションセンタ
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田中 直敬
株式会社日立製作所 機械研究所
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清水 昭博
(株)ルネサステクノロジ
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田中 直敬
(株)日立製作所機械研究所
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北野 誠
(株)日立製作所機械研究所
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池田 修二
日立半導体事業本部
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小島 清美
日立機械研
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保川 彰夫
(株)日立製作所機械研究所
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鈴木 範夫
日立半導体グループ
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寺崎 健
(株)日立製作所機械研究所
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北野 誠
株式会社日立製作所機械研究所
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田中 直敬
日立機械研
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北野 誠
(株)日立製作所
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北野 誠
日立機械研
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北野 誠
日立製作所
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寺崎 健
日立機械研
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吉田 安子
(株)日立製作所半導体グループ
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角 義之
株式会社日立製作所半導体グループ
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寺崎 健
日立・機械研
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鈴木 範夫
(株)日立製作所半導体グループ
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飯塚 守
ルネサス
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保川 彰夫
(株)日立製作所自動車機器グループ
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保川 彰夫
(株)日立製作所 自動車機器グループ
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田中 直敬
株式会社日立製作所機械研究所
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小島 清美
(株)日立製作所日立研究所
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竹田 憲生
日立機械研
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西村 朝雄
株式会社実装パートナーズ
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太田 裕之
日立機械研
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佐々木 直哉
(株)日立製作所機械研究所
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西村 朝雄
(株)日立製作所機械研究所
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蒲原 史朗
ルネサステクノロジ
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久米 均
(株)日立製作所中央研究所
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熊谷 幸博
(株)日立製作所
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蒲原 史朗
(株)ルネサステクノロジ
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前川 径一
(株)ルネサステクノロジ
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島津 ひろみ
日立機械研
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清水 昭博
日立超LSIシステムズ
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島津 ひろみ
日立・機械研
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島津 ひろみ
(株)日立製作所機械研究所
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玉置 洋一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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池田 隆英
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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橋本 ちえみ
(株)日立超LSIシステムズ
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熊沢 鉄雄
株式会社日立製作所
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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加藤 正高
(株)日立製作所中央研究所
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足立 哲生
(株)日立製作所中央研究所
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久米 均
日立製作所中央研究所
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加藤 正高
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
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遠藤 恒雄
ルネサステクノロジ
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岸本 喜久雄
東工大
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大宮 正毅
慶大
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大宮 正毅
東工大
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渋谷 寿一
大分大
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牛山 雅弘
(株)日立製作所中央研究所-ULSI研究部
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八島 秀幸
(株)日立製作所中央研究所-ULSI研究部
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西本 敏明
(株)日立製作所半導体事業部
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小森 和宏
(株)日立製作所半導体事業部
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大路 讓
(株)日立製作所半導体事業部
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斉藤 直人
日立機械研
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小島 清美
(株)日立製作所機械研究所
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熊沢 鉄雄
(株)日立製作所機械研究所
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足立 哲生
(株)日立製作所半導体事業部半導体開発センタ
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長埜 浩太
日立機械研
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渋谷 壽一
東京工業大学
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熊沢 鉄雄
株式会社日立製作所機械研究所
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河野 賢哉
株式会社日立製作所機械研究所
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三浦 英生
株式会社日立製作所機械研究所
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吉田 育生
株式会社日立製作所半導体グループ
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角 義之
日立半導体グループ
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小西 聡
ルネサス
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島津 ひろみ
日立 機械研
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遠藤 恒雄
ルネサス
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渋谷 壽一
東工大
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西村 朝雄
(株)日立製作所
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飯塚 守
日立半導体
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小山 賢治
日立半導体
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吉田 育生
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
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竹田 憲生
日立製作所機械研究所
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八島 秀幸
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
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牛山 雅弘
(株)日立製作所中央研究所ulsi研究部
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佐々木 直哉
(株)日立製作所日立研究所
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小島 清美
(株)日立製作所 日立研究所
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佐々木 直哉
(株)日立製作所 日立研究所
著作論文
- (4)ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発(論文,日本機械学会賞〔2007年度(平成19年度)審査経過報告〕)
- 739 0.13μm ノード MOS トランジスタのドレイン電流に及ぼす応力の影響
- 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
- 球圧子を用いたシリコン基板の転位発生強度評価法
- 半導体デバイスにおけるシリコン基板転位発生予測手法の提案
- 半導体浅溝型素子分離(SGI)構造の酸化反応誘起応力の検討
- 413 半導体浅溝型素子分離構造の酸化誘起応力
- 応力緩和による半導体浅溝型素子分離構造の形状制御
- 637 半導体溝型素子分離構造における酸化プロセス誘起応力解析
- 30a-ZS-3 浅溝型素子分離構造における酸化誘起応力解析
- ACF 等を用いた接触実装構造における接続信頼性影響因子の解明
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- 半導体パッケージの構造設計CAEシステムの開発
- (5)分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
- 分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
- シリコン結晶のラマン振動数に対する応力効果の分子動力学解析
- マイクロスペックル干渉計による面内変位測定
- 712 異方性導電樹脂を用いた実装構造における信頼性評価手法の検討
- 実験計画法を用いたボンディングワイヤループ形状適正化の検討(J01-4 最適構造設計,J01 エレクトロニクス実装における熱制御および信頼性評価)
- 442 応力制御によるTiシリサイド配線構造の高信頼設計(OS01-5 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(5))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 1116 Sn-Ag-Bi-Cu系Pbフリーはんだの機械的性質と低サイクル疲労強度(OS-1 鉛フリ-はんだ)
- 738 微小圧子押込法による弾性定数測定に及ぼす押込み深さの影響
- 348 トランジスタ絶縁膜耐圧特性に及ぼす電極膜真性応力の影響
- 315 トランジスタ絶縁膜耐圧特性に及ぼす残留応力の影響
- 819 ゲル中ワイヤの振動疲労評価手法の検討
- W05-(6) 電子実装設計におけるCAEの活用 : IT時代における機械工学の果たすべき役割(IT時代における機械工学の果たすべき役割 : 電子実装を中心として)(計算力学部門,材料力学部門,熱工学部門企画)
- 921 半導体パッケージ構造設計専用 CAE システムの開発
- 448 応力解析による強誘電体キャパシタの分極特性評価