池田 修二 | (株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ
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概要
関連著者
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池田 修二
(株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ
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池田 修二
日立製作所半導体事業部
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池田 修二
(株)日立製作所半導体事業部
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三浦 英生
東北大
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斉藤 直人
(株)日立製作所機械研究所
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三浦 英生
(株)日立製作所機械研究所
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石塚 典男
(株)日立製作所機械研究所
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三浦 英生
日立機械研
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三浦 英生
東北大学大学院工学研究科
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池田 修二
(株)日立製作所半導体事業部プロセス技術開発部
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石橋 孝一郎
日立製作所中央研究所
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吉田 安子
(株)日立製作所半導体グループ
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鈴木 範夫
(株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ
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太田 裕之
(株)日立製作所
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橋本 ちえみ
(株)日立超LSIシステムズ
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長田 健一
(株)日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
(株)ルネサステクノロジ
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石橋 孝一郎
(株)日立製作所中央研究所
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石橋 孝一郎
ルネサス テクノロジ
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橋本 直孝
日立製作所半導体事業部
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朝山 匡一郎
日立製作所
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太田 裕之
日立機械研究所
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鈴木 範夫
(株)日立製作所半導体グループ
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朝山 匡一郎
日立
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陽 完治
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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陽 完治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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玉置 洋一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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池田 隆英
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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石塚 典男
日立機械研
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池田 修二
日立半導体事業本部
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黒田 謙一
日立製作所半導体事業部
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庄司 健一
日立製作所 中央研究所
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斉藤 直人
日立機械研
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鈴木 範夫
日立半導体グループ
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長田 健一
日立製作所中央研究所
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小宮路 邦広
日立製作所中央研究所
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山中 俊明
日立製作所中央研究所
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藤田 絵理
日立超LSI
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吉田 安子
日立製作所
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小池 淳義
日立製作所
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目黒 怜
日立製作所
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森田 貞幸
日立超LSIエンジニアリング
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青砥 敏郎
日立超LSIエンジニアリング
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小泉 稜司
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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山中 俊明
(株)日立製作所中央研究所
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小池 淳義
(株)日立製作所半導体事業部
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森田 貞幸
(株)ルネサステクノロジ
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山中 俊明
日立 中研
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橋本 直孝
(株)日立製作所半導体事業部
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森田 貞幸
日立超lsiエンジニアリング(株)
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庄司 健一
日立製作所半導体事業部
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小宮路 邦広
(株)日立製作所、半導体事業部
著作論文
- 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
- 薄膜の内部応力を考慮したトランジスタ構造の応力解析方法の検討
- 半導体浅溝型素子分離(SGI)構造の酸化反応誘起応力の検討
- 413 半導体浅溝型素子分離構造の酸化誘起応力
- 応力緩和による半導体浅溝型素子分離構造の形状制御
- 大容量、低電圧、高速動作に適したSRAMメモリーセル技術Stacked Split Word-line(SSW)セル
- 12.5ns 16Mビット CMOS SRAM
- ED2000-129 / SDM2000-111 / ICD-2000-65 量産性に優れた0.18um世代のロジックプロセス技術
- ED2000-129 / SDM2000-111 / ICD2000-65 量産性に優れた0.18um世代のロジックプロセス技術
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- 0.65-2V動作のシステムLSI用キャッシュメモリ (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- 0.65〜2.0V動作のシステムLSI用キャッシュメモリの開発 (特集1 低消費電力化進む半導体デバイス)
- 新形高性能トランジスタ : β-MOSFET(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)