413 半導体浅溝型素子分離構造の酸化誘起応力
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概要
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A finite element method was used to analyze the mechanism of stress development during thermal oxidation of shallow grooves on silicon substrates for 0.25-μm semiconductor devices. This analysis showed the resolved shear stress concentrates at the upper and lower corners of the groove. Moreover, the shear stress increases as the total amount of oxidation increases. In particular, the shear stress at the lower corner is about two times higher than that at the upper corner, and it strongly depends on the pattern width of the silicon substrate. These results mean that the amount of oxidation should be as low as possible and that the pattern width should be the most suitable for a SGI structure.
- 2002-08-23
著者
-
斉藤 直人
(株)日立製作所機械研究所
-
石塚 典男
(株)日立製作所機械研究所
-
石塚 典男
日立機械研
-
三浦 英生
日立機械研
-
池田 修二
日立半導体事業本部
-
池田 修二
日立製作所半導体事業部
-
池田 修二
(株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ
-
斉藤 直人
日立機械研
-
鈴木 範夫
日立半導体グループ
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科
-
三浦 英生
東北大
-
鈴木 範夫
(株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ
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