High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し,High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの影響を量子分子動力学法を用いて検討した.その結果,界面近傍の健全性が絶縁膜組成と膜中の残留ひずみに依存して著しく変化することを明らかにした.特に,ALD法で堆積した絶縁膜中の酸素濃度と有機ガスソースから取り込まれる炭素濃度に依存して絶縁膜特性が著しく低下するとともに、格子ひずみ不整合により金属電極の酸化と炭化が加速されることを解析と光電子分光分析を用いて明らかにした.
- 2009-11-05
著者
-
吉川 英樹
物材機構
-
小林 啓介
物材機構
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科エネルギー安全科学国際研究センター
-
吉川 英樹
物質・材料研究機構 SPring-8
-
小林 啓介
物質・材料研究機構 SPring-8
-
寒川 誠二
東北大学流体科学研究所
-
吉川 英樹
科学技術庁無機材質研究所
-
鈴木 研
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科
-
三浦 英生
東北大
-
井上 達也
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
伊藤 雄太
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
鈴木 研
東北大学大学院工学研究科
-
三浦 英生
東北大学
-
吉川 英樹
物質・材料研究機構
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