26pZB-7 軟X線光電子分光を用いたM_8Ga_<16>Ge_<30>(M=Sr,Ba)及びBa_8Ga_<16>Si_<30>の電子状態(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-08-18

著者

• 谷垣 勝己

  東北大院理

• 高畠 敏郎

  広大院先端

• Avila M.

  広大院先端物質

• 熊代 良太郎

  東北大院理

• 良知 健

  東北大院理

• 成田 清嗣

  東北大院理

• 郭 方准

  JASRI SPring-8

• 小林 啓介

  JASRI SPring-8

• Avila M.A.

  広大院先端物質

• Avilla M.A.

  広島大先端物質

• 小林 啓介

  物材機構

• 郭 方准

  Jasri

• 郭 方准

  高輝度光科学研究センター

• Avila Marcos

  Department Of Quantum Matter Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University

• アビラ M.a.

  広大院先端物質

• Arita M

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• Avila M.

  広島大

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