23pTH-11 Ba_<24>IV_<100>(IV=Si.Ge)の電子物性に与えるフォノンの影響(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-08-21

著者

• 谷垣 勝己

  東北大院理

• 良知 健

  東北大院理

• 福岡 宏

  広大院工

• 山中 昭司

  広大院工

• 齋藤 一弥

  筑波大院数物

• 斎藤 一弥

  阪大院理

• 宮崎 裕司

  大阪大

• 宮崎 裕司

  阪大院理

• 齋藤 一弥

  筑波大化学

• 宮崎 裕司

  大阪大学大学院理学研究科

• 山中 昭司

  広島大学院工学研究科

• 齊藤 一弥

  阪大理

• Sato Ko-ichi

  Plasma Science Center Nagoya University

• Saito K

  Research Center For Molecular Thermodynamics Graduate School Of Science Osaka University

• 斉藤 一弥

  阪大理

• Saito G

  Department Of Chemistry Faculty Of Science Tokyo Metropolitan University

• Saito K

  Department Of Applied Physics Graduate School Of Engineering The University Of Tokyo

• 山中 昭司

  広島大学大学院 工学研究院 応用化学講座

• SAITO Kazuya

  Frontier Materials Laboratory, Toyota Technological Institute

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