熊代 良太郎 | 東北大院理

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概要

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• 東北大院理の論文著者

関連著者

• 熊代 良太郎

  東北大院理

• 谷垣 勝己

  東北大院理

• 廣芝 伸哉

  東北大院理

• 廣芝 伸哉

  (独)物質・材料研究機構

• 良知 健

  東北大院理

• 赤坂 健

  筑波大

• 大橋 弘孝

  東北大院理

• 赤阪 健

  筑波大数物

• 熊代 良太郎

  CREST

• 福岡 宏

  広大院工

• 山中 昭司

  広大院工

• 木村 滋

  JASRI

• Avila M.

  広大院先端物質

• 前田 優

  東京学芸大

• 畠山 力三

  東北大院工

• 赤坂 健

  筑波大TARA

• 大橋 弘孝

  大阪市立大

• 木村 滋

  (財)高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門

• 前田 優

  東京学芸大学

• Avila Marcos

  Department Of Quantum Matter Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima University

• アビラ M.a.

  広大院先端物質

• 宮田 直樹

  東北大院理

• 高田 昌樹

  JASRI

• 谷垣 勝己

  大阪市立大

• 加藤 健一

  JASRI

• 郭 方准

  Jasri

• 郭 方准

  高輝度光科学研究センター

• 宮澤 薫一

  物質・材料研究機構

• 木村 滋

  マイクロエレ研

• 宮澤 薫一

  (独)物質・材料研究機構

• 宮澤 薫一

  東京大学大学院工学系研究科材料学専攻

• 宮沢 薫一

  東京大学工学部材料学科

• 藤城 太樹

  東北大院理

• Avila M.

  広島大

• 谷垣 勝己

  東北大学大学院理学研究科

• 藤原 明比古

  北陸先端大

• 池田 進

  東北大 理GCOE

• 篠原 久典

  名大院理

• 高畠 敏郎

  広大院先端

• 高石 慎也

  東北大院理

• 山下 正廣

  東北大院理

• 青柳 忍

  名大工

• Avila M.

  広島大院先端物質

• TANG Jun

  東北大院理

• 阿部 有希

  東北大院理

• 西野 琢也

  東北大院理

• 渡辺 麻子

  東北大院理

• 郭 方准

  JASRI SPring-8

• 川山 巌

  阪大超伝導フォトニクス

• 斗内 政吉

  阪大超伝導フォトニクス

• 大坂 恵一

  JASRI SPring-8

• Avilla M.A.

  広島大先端物質

• 竹延 大志

  東北大金研

• 泉田 健

  東北大院工

• 村田 靖次郎

  京都大学化学研究所

• 赤阪 健

  筑波大

• 木村 滋

  CREST

• 加藤 健一

  Tsukuba Univ

• Nikos Tagmatarchis

  University of Trieste

• 加藤 治人

  名古屋大

• 村田 恵三

  大阪市立大

• 川山 巌

  大阪大学レーザーエネルギー学研究センター

• 斗内 政吉

  大阪大学レーザーエネルギー学研究センター

• 篠原 久典

  名大理

• 梶谷 剛

  東北大院工

• 梶谷 剛

  東北大工

• 村田 靖次郎

  京大化研

• 小松 紘一

  京大化研

• 江口 晴樹

  石川島播磨重工業株式会社

• 李 林

  阪市大院理

• 村田 恵三

  阪市大

• 岩佐 義宏

  東大 工

• 梶谷 剛

  東北大

• 梶谷 剛

  東北大院工学研究科

• 小野 泰弘

  元東北大工

• 小野 泰弘

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• Avila M.A.

  広島大先端研

• Avila M

  Department Of Quantum Matter Adsm Hiroshima University

• Avila Marcos

  Hiroshima Univ. Hiroshima Jpn

• 篠原 久典

  名古屋大

• Arita M

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• 藤城 太樹

  東北大学

• Avila M.a.

  広島大院先端物質

• Avila M.a.

  Department Of Quantum Matter Adsm Hiroshima University

• Avila M.

  広大先端物質

• Tani M

  Research Center For Superconductor Photonics Osaka University

• Tonouchi Masayoshi

  Powersource And Device Development Daihen Corporation

• 中西 務

  大阪市立大学

• 熊代 良太郎

  東北大学大学院理学研究科

• AVILA Marcos

  CCNH, Univ. Federal do ABC

• 井上 拓門

  東北大理

• Avila M.

  広大院先端物

• 澤 博

  名大院工

• 中野 智志

  物材機構

• 有田 将司

  広大放射光セ

• 岩佐 義宏

  東北大金研

• 池田 進

  東北大理GCOE

• 篠原 久典

  名古屋大学大学院理学研究科物質理学専攻

• 豊田 直樹

  東北大院理

• 高畠 敏郎

  広島大先端研

• 末國 晃一郎

  広大院先端物

• 高畠 敏郎

  広島大院先端物質

• Wang Yan

  東北大院理

• 谷垣 勝己

  東北大WPI-AIMR

• 高橋 裕

  東北大理

• 齊藤 達也

  東北大理

• 小松 直也

  東北大院理

• 小林 長夫

  東北大院理

• 高畠 敏郎

  広島大院工

• 福岡 宏

  広島大院工

• 山中 昭司

  広島大院工

• 森 まゆみ

  東北大院理

• 鈴木 貴博

  東北大院理

• 成田 清嗣

  東北大院理

• 小林 啓介

  JASRI SPring-8

• Avila M.A.

  広大院先端物質

• 竹延 大志

  CREST JST

• 岩佐 義宏

  CREST JST

• 加藤 健一

  JST-CREST

• 高田 昌樹

  JST-CREST

• 大石 泰生

  JASRI SPring-8

• 鈴木 信三

  京都産業大学

• 阿知波 洋次

  首都大学東京

• 石動 彰信

  東北大院理

• 赤田 美佐保

  東北大院理

• 小松 紘一

  京都大学化学研究所

• 垣内 徹

  総研大

• 澤 博

  物構研

• 手老 省三

  東北大多元研

• 秋山 公男

  東北大多元研

• 和田 昇

  東洋大工

• 石井 久夫

  東北大電気通信研究所

• 廣芝 伸哉

  東北大院 理

• 熊代 良太郎

  東北大院 理

• 谷垣 勝己

  東北大院 理

• 石井 久夫

  東北大 電気通信研究所

• 杉原 周二

  大阪市立大

• 廣芝 伸哉

  大阪市立大

• 青柳 忍

  SPring-8

• 高田 昌樹

  名古屋大

• 齊藤 達也

  東北大院理

• 谷垣 勝己

  東北大学WPI・理学研究科

• 小林 啓介

  物材機構

• 齋藤 一弥

  筑波大院数物

• 木村 滋

  高輝度光科学研究セ

• 斎藤 一弥

  阪大院理

• 中野 智志

  物質・材料研究機構 ナノ物質ラボ超高圧グループ

• 宮崎 裕司

  大阪大

• 宮崎 裕司

  阪大院理

• 斎藤 一弥

  筑波大院理

• 小林 賢介

  阪市大院理

• 下谷 秀和

  東北大金研

• 山本 貴生

  東北大院理

• 小野 泰弘

  東北大院工

• 郭 方准

  ASRI SPring-8

• 小野 奉弘

  東北大院工

• 石井 久夫

  千葉大学先進科学研究教育センター

• 宮崎 裕司

  大阪大学大学院理学研究科

• 末國 晃一郎

  広大院先端物質

• 山中 昭司

  広島大学院工学研究科

• 阿知波 洋次

  首都大理工

• 鈴木 信三

  首都大理工

• 河野 俊介

  東大・理

• 青柳 忍

  JASRI

• 良知 健

  CREST,JST

• 福岡 宏

  広大院工物質化学

• 山中 昭司

  広大院工物質化学

• 谷垣 勝己

  阪市大院理

• 中野 智志

  NIMS

• 大石 泰生

  Jasri

• 中野 智志

  無機材研

• 鈴木 信二

  新潟大理

• 藤原 明比古

  CREST

• 大石 泰夫

  SPring8

• 湊 淳一

  物質・材料研究機構

• 齊藤 一弥

  阪大理

• 石動 彰信

  東北大工

• Sato Ko-ichi

  Plasma Science Center Nagoya University

• 和田 昇

  東洋大院工

• Saito K

  Research Center For Molecular Thermodynamics Graduate School Of Science Osaka University

• 宮沢 薫一

  物材機構

• 高 云燕

  京大化研

• 熊代 良太郎

  JST-CREST

• 池田 進

  高エネルギー研

• 高田 昌樹

  名古屋大学

• 加藤 健一

  高輝度光科学研究センター

• 青柳 忍

  高輝度光科学研究センター

• 谷垣 勝己

  東北大理

• 中野 智志

  物質・材料研究機構

• 王 艶

  東北大理

• 熊代 良太郎

  東北大理

• 河野 俊介

  東北大NICHe

• 横山 弘之

  東北大NICHe

• 大橋 弘孝

  阪市大院理

• Tagmatarchis Nikos

  University of Trieste

• 加藤 治人

  名大院理

• 谷垣 勝巳

  CREST JST

• 赤坂 健

  筑波大学

• 豊田 直樹

  原子力機構/先端基礎研究センター

• 谷垣 勝己

  CREST-JST

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著作論文

• 26aYD-11 有機半導体単結晶FETにおける界面修飾が両極性に与える影響(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aTG-8 シリコンおよびゲルマニウムクラスタ固体におけるフォノンと電子物性(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aTG-10 熱電変換材料クラスレートにおける物性とpn制御(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pTG-9 ルブレン単結晶FETにおける動作特性の発現要因(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aRC-11 表面有機修飾SWNTs-FETにおけるキャリア制御の検討(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19aRG-8 SiおよびGeクラスレートの構造と物性(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
• 18pRJ-1 NTs-FET特性におよぼす種々の要因(ナノチューブ・電気伝導・理論,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRG-5 ゼオライトFAUとLTAの電気伝導度(ゼオライト,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pYB-2 フラーレンナノウィスカーやフラーレンナノチューブへの化学ドーピング(25pYB 領域7シンポジウム:フラーレンナノスケール低次元構造の生成とその物性-CNTとはどう違う?-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pZB-7 軟X線光電子分光を用いたM_8Ga_Ge_(M=Sr,Ba)及びBa_8Ga_Si_の電子状態(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aYF-1 高誘電体絶縁膜を用いた単結晶有機FETにおける界面制御と物性(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pZB-10 Geクラスレートにおける内包原子の運動と物性との相関(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pZB-3 (Ba,Sr)_8Ga_Ge_の物性 : 磁性 電気伝導 熱電能(26pZB クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23aYF-7 表面有機修飾したSWNTsのFET特性(23aYF ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pRC-18 単結晶BaTiO_3高誘電体を用いた有機FETの物性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aRC-5 CsC_薄膜の電気伝導の温度依存性(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aTE-11 表面シリル化したカーボンナノチューブのFET特性(30aTE ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aRC-3 物理パラメータからみたBa_IV_(IV=SiおよびGe)の物性(28aRC クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pRC-7 高純度H_2@C_の構造と物性(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pXA-9 Kを吸蔵させたゼオライトLTA薄膜の物性(クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aXA-9 有機FET構造における金-チオール自己組織化単分子膜の物性へ与える影響(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aYL-12 金端子の化学修飾が有機トランジスタの物性に与える影響(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 13pWH-7 C_FET に於ける界面修飾の及ぼす影響とその評価(FET, 領域 8)
• 13pWH-7 C_FET に於ける界面修飾の及ぼす影響とその評価(FET, 領域 7)
• 22pXG-5 フラーレン薄膜 FET における薄膜構造と物性
• 20aXA-7 Ba_IV_(IV=Si,Ge)クラスレート化合物のフォノンの異常(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aXA-8 Ba_8III_Ge_(III=Al,Ga,In)クラスレート化合物の電子物性(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aYK-7 ゲルマニウムクラスレートの電子状態と熱電能(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aYK-12 超伝導体Ba_Ge_におけるBaラットリング現象の直接観察(クラストレート,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pYN-11 ヨウ素ドープしたC_, dimerおよびC_ nanowhiskerの伝導特性(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 12aWH-8 ドープした C_ ナノウィスカーの伝導特性(フラーレン, 領域 7)
• 21pXA-7 化学修飾SWCNTsのFET特性(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-14 有機半導体単結晶の光励起誘導放出作用に及ぼす基板表面修飾の影響(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 構造III型GeクラスレートBa_Ge_の高圧構造変化
• 28pYD-9 種々の FET 基板上におけるフラーレンおよび関連物質の構造
• 28pYD-8 電界効果トランジスタ構造によるフラーレンおよび関連物質の特性
• 22aXA-4 化学ドープした中空フラーレンナノチューブの伝導特性(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aZP-3 C_ウィスカーの伝導特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
• 27aZP-3 C_ウィスカーの伝導特性(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
• 高輝度放射光による炭素系薄膜の構造解析 (特集 先端カーボン)
• 22aTG-1 有機電界効果トランジスタの発光と伝搬に及ぼす基板表面修飾の影響(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))

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