局所熱残留変形計測を用いた三次元積層構造における微小バンプ接続信頼性の非破壊評価法(実装検査評価技術,<特集>高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
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概要
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半導体三次元積層構造におけるバンプ接続信頼性評価として,複数バンプはく離を含む接続不良やアンダフィル封入前における検査可能性について各構造材料間の線膨張係数差に起因したSiチップ局所残留熱変形計測による検査法の有効性を有限要素法解析を用いて検討した.また,本検査手法の三次元積層チップ構造への適用を目的とし,二段積層構造における上層のSiチップ表面変形の支配因子について検討した.上層チップの表面変形は上下層で発生する局所変形の重ね合わせになるが,下層の影響が上層に顕著に現れる実装形態があること等を明らかにした.一方,アンダフィル未封入状態のおけるSiチップ表面局所変形を白色干渉顕微鏡を用いて計測し,アンダフィル未封入状態においてもバンプ接続信頼性評価が可能であることを明らかにした.以上の検討により,本手法は非破壊・非接触で製品の全品高速検査へ適用が可能であることを示した.
- 2007-11-01
著者
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科エネルギー安全科学国際研究センター
-
佐藤 祐規
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科
-
佐藤 祐規
東北大学大学院工学研究科
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