1102 半導体デバイス特性の実装残留応力による変動評価(J08-2 電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2) 半導体・界面接合,ジョイントセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
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概要
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Effect of residual stress in a silicon chip stacked three-dimensionally for high performance applications on the electronic characteristics of transistors formed in the chip was analyzed by using a finite element method. A periodic distribution appeared in each stacked chip due to the periodic small bump alignment. Since the electronic band structure of silicon distorted by strain, it was found that the electronic performance of NMOS transistors changed by about 10%/100-MPa. Therefore, it is very important to optimize the structure design of each product.
- 2008-08-02
著者
-
佐々木 拓也
東北大学大学院工学研究科ナノメカニクス専攻
-
上田 啓貴
東北大学大学院工学研究科ナノメカニクス専攻
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科エネルギー安全科学国際研究センター
-
上田 啓貴
東北大院
-
佐々木 拓也
東北大院
-
三浦 英生
東北大
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