フリップチップ実装構造における微小バンプ接続部の非破壊検査法の提案(高密度・高性能パッケージ・モジュール技術,<特集>次世代電子機器における先端実装技術と電磁波ノイズ低減技術論文)
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概要
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電子パッケージにおいてフリップチップ実装構造を採用する場合には,厚さに厳しい制約があることから必然的にSiチップの厚さが薄型化する傾向にある.Siチップ厚さが200μm以下になると,Siチップ全体の曲げ剛性が著しく低下し,局所的な変形が容易に生じる.このため,バンプとアンダフィル間の線膨張係数差が大きい場合には,実装後に隣接したバンプ間のSiチップに局所的な残留変形が発生する.そこで,バンプ接続部の非破壊検査法の開発を目的として,エリアアレー型フリップチップ実装構造における隣接バンプ間のSiチップ局所変形量が数百nm以上となることを,有限要素法解析と共焦点走査型レーザ顕微鏡を応用して定量的に評価し,本局所変形測定が微小バンプの接続信頼性評価に適用できることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科エネルギー安全科学国際研究センター
-
佐藤 祐規
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科
-
佐藤 祐規
東北大学大学院工学研究科
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