1815 高誘電率薄膜材料のバンドギャップに及ぼす結晶欠陥と格子ひずみの影響(J06-3 マイクロ・ナノ構造解析法と応用,J06 計算マイクロ・ナノメカニクス)
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概要
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In order to make clear the effect of the strain and intrinsic defects on both electronic and structural characteristic of HfO_2, we performed a quantum chemical molecular dynamics analysis for HfO_<2-x> structures under strain. The band gap value of HfO_2 decreased drastically due to the oxygen vacancy. In addition, the band gap decreased further by the absolute value of strain. We can conclude, therefore, that both the existence of oxygen vacancies and strain in HfO_2 films deteriorate the electronic reliability of the oxide film seriously.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2005-09-18
著者
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科エネルギー安全科学国際研究センター
-
鈴木 研
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
三浦 英生
東北大
-
伊藤 雄太
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
伊藤 雄太
東北大院
-
鈴木 研
東北大
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