101 次世代半導体モジュールの局所変形と残留応力の測定(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
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概要
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次世代の高速大容量信号処理用デバイスの実装構造として期待されている,微細バンプを二次元エリアアレイ状に配置したフリップチップ実装構造における機械的信頼性課題について,ピエゾ抵抗効果を応用したマイクロひずみセンサアレイを内蔵させたセンサチップを使用して検討した.その結果,バンプピッチやアンダーフィル材質に依存してシリコンチップには最大で約5μmにも達する局所残留変形が発生し,バンプ間のシリコンチップ内部には数100MPaに達する局所応力分布が発生することを明らかにした.したがって,今後のデバイス開発においてはこの局所残留応力制御が極めて重要な検討課題になることを示した.
- 2009-09-26
著者
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科エネルギー安全科学国際研究センター
-
鈴木 研
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
三浦 英生
東北大
-
中平 航太
東北大工
-
岸 宏樹
東北大院
-
岸 宏樹
東北大学
-
鈴木 研
東北大
-
中平 航太
東北大
-
三浦 英生
東北大学
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